饶丰 1,2,3,*朱锡芳 1徐安成 1
作者单位
摘要
1 常州工学院光电工程学院, 江苏 常州 213002
2 常州现代光电技术研究院, 江苏 常州 213002
3 常州光电子材料与器件重点实验室, 江苏 常州 213002
提出了一种采用归一化光谱分布的总体差异表征AlGaInP基发光二极管(LED)阵列平均结温的新方法。采用光谱仪测量了不同衬底温度、不同注入功率时,3种LED阵列的归一化光谱分布,研究了归一化光谱分布差异与LED阵列平均结温的关系,并将归一化光谱分布差异表征平均结温的准确度与文献报道的中心波长法相比较。研究结果表明:无论是改变衬底温度还是注入功率,采用常用的1 nm采样间隔的光谱仪,归一化光谱分布差异与LED阵列平均结温的变化成良好的线性关系,线性度优于中心波长法,因此归一化光谱分布差异可以用于平均结温的测算,且准确度高于中心波长法。
光谱学 结温测试 光谱分析 发光二极管阵列 光谱仪 归一化光谱分布差异 
光学学报
2014, 34(9): 0930004

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!