1 中国石油大学(华东)信息与控制工程学院, 山东 青岛266555
2 林茨大学实验物理研究所原子与表面科学系, 奥地利A-4040
3 天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室, 天津300072
荧光发射强度在荧光显微术科学观测中至关重要。 理论分析了三大影响荧光发射强度的重要因素: 分子吸收激发光光子的能力、 荧光量子产量及其荧光饱和与荧光猝灭, 指出选择具有大光吸收截面和高量子产量的荧光分子, 能有效保证荧光发射强度； 确定合理的激发光强度范围, 可避免不必要的荧光饱和现象。 进一步实验研究了超高真空和大气环境下的荧光猝灭现象, 得出超高真空时荧光分子的荧光猝灭现象极不明显, 而大气环境可造成荧光光强指数递减的结论。
荧光发射强度 荧光饱和 荧光猝灭 荧光光谱 Fluorescence intensity Fluorescence saturation Fluorescence quenching Fluorescence spectrum 光谱学与光谱分析
2012, 32(10): 2718
1 天津大学 精密测试技术及仪器国家重点实验室,天津 300072
2 约翰·开普勒大学 实验物理研究所,林茨 A-4040,奥地利
利用自主研发设计的波长为355 nm的纳秒脉冲激光微加工系统,在硅(100)表面进行照射加工,形成了线槽宽度约25 μm的微结构。利用荧光显微检测和光谱检测等观测手段,对形成的线槽结构进行观测分析,发现加工过的区域可以发生强烈的光致发光现象。使用波长范围为400-440 nm的照明光照射加工区域,可以激发出波长范围为400-700 nm的荧光,且荧光光强随时间呈现指数衰减变化。从而证实了纳秒脉冲激光的照射加工改变了硅材料的光学属性,为利用脉冲激光加工制备硅基光电器件和结构进行了探索。
激光技术 纳秒脉冲激光 微加工 荧光检测 硅(100)
1 天津大学 精密测试技术及仪器国家重点实验室,天津 300072
2 林茨大学 实验物理研究所原子与表面科学系,奥地利,林茨 A-4040
论述了一种高精度快速的单分子实时跟踪方法,包括图像去噪处理与高斯掩模质心法相结合的定位算法和同时考虑等效光强和帧间最大运动位移的同分子概率链接算法。对不同信噪比(SNR)下的单分子荧光图像的仿真结果表明,该定位算法与被认为表现最好的二维直接高斯拟合相比,不仅运算时间缩短为原来的1/10,而且在整个测试信噪比范围内具有更低的偏差和更好的精度,甚至在低信噪比时也能得到可信的小偏差、高精度中心位置值。在普通个人计算机上利用该方法对单分子的百万像素级序列帧进行实时跟踪时,跟踪速率能达到4-5 frame/s。
图像处理 荧光成像处理 单分子跟踪 图像去噪高斯掩模(IDGM)法 实时分子运动监测
