1 北京工业大学材料科学与工程学院，北京 100124
2 北京工业大学固体微结构与性能研究所，北京 100124
3 北京玻璃研究院，北京 101111
反式二苯乙烯(TSB)晶体是一种可用于较强γ辐射下进行快中子检测的优良闪烁材料。由于溶液法得到的晶体在质量、性能等方面所表现的优越性，有必要对TSB晶体的溶液法生长技术进行系统研究。本文介绍了国内外关于TSB晶体的溶液降温法生长研究过程和取得的进展，对相应研究结果进行了分析，并提出了尚存在的问题。
反式二苯乙烯(TSB) 溶液降温法 晶体生长 trans-stilbene(TSB) solution cooling method crystal growth
1 北京工业大学应用数理学院, 材料科学与工程学院, 北京100124
2 中国科学院物研究生院材料科学与光电技术学院, 北京100049
3 首都师范大学物理系, 北京100037
实验测量了室温下磷酸二氢钾KH2PO4(KDP)晶体0.2～1.6 THz的时域光谱, 以及50～4 000 cm-1范围内的远红外光谱, 200～2 000 nm的紫外-可见-红外光谱。 KDP晶体的禁带宽度是5.91 eV。 在测量范围内有一个很宽的声子吸收带。 从0.2～205.5 THz吸收系数在35～80 cm-1, 声子吸收的低频端小于0.2 THz。 最高的纵光学模声子的频率νLO大约是205.5 THz, 由此求出这支声子的H—O键的力常数为13.13 N·cm-1。
THz光谱 红外-紫外光谱 KH2PO4晶体 声子吸收 THz spectrum Infrared-ultraviolet spectrum KH2PO4 crystal Phonon absorption 光谱学与光谱分析
2010, 30(11): 2881
