1 北京工业大学材料科学与工程学院，北京 100124
2 北京工业大学固体微结构与性能研究所，北京 100124
3 北京玻璃研究院，北京 101111
反式二苯乙烯(TSB)晶体是一种可用于较强γ辐射下进行快中子检测的优良闪烁材料。由于溶液法得到的晶体在质量、性能等方面所表现的优越性，有必要对TSB晶体的溶液法生长技术进行系统研究。本文介绍了国内外关于TSB晶体的溶液降温法生长研究过程和取得的进展，对相应研究结果进行了分析，并提出了尚存在的问题。
反式二苯乙烯(TSB) 溶液降温法 晶体生长 trans-stilbene(TSB) solution cooling method crystal growth
传统的人工生长大尺寸 磷酸二氢钾(KDP)单晶过程中,柱面生长很慢,锥面的生长速度较快。 实验利用恒温蒸发溶剂的办法,生长出了截面较大的KDP单晶体（8mm×22mm×45mm）。 柱面的生长速度较传统的溶液降温法得到了有效提高,尤其是向下的方向更加明显, 这主要是液面下降,溶质边界层浓度梯度发生持续变化促使晶体快速生长造成的。 为溶液的提纯、预热以及起始温度选择等积累了经验。实验也为后续的晶体生长打下了很好的基础。
非线性光学 KDP晶体 溶液降温法 边界层 nonlinear optics KDP crystal temperature-lowering method boundary layer
