采用高温固相法制备了一系列单基质荧光粉NaLa1-x-yMgWO6∶xDy3+/yBi3+ (x=0.01, 0.02, 0.04, 0.06;y=0.01, 0.02, 0.04, 0.06)。通过对Dy3+/Bi3+双掺杂浓度进行优化, Bi3+离子的掺杂不仅可以有效增强荧光粉的发光强度, 还实现了发光颜色的可调。通过对系列NaLaMgWO6∶xDy3+/0.02Bi3+样品的荧光衰减曲线的分析可知, Dy3+离子浓度从1%增加到6%, Bi3+离子的荧光寿命逐渐减少, 从而有力地证明了NaLaMgWO6∶Bi3+/Dy3+荧光粉中存在Bi3+→Dy3+的能量传递过程。另外, 通过电多极相互作用公式计算可知, Bi3+→Dy3+能量传递过程为偶极-偶极的相互作用, 最优Bi3+/Dy3+掺杂样品的能量传递效率达到42.67%。在紫外光的有效激发下, 通过改变Dy3+离子掺杂浓度, NaLaMgWO6∶Bi3+/Dy3+荧光粉可以实现白光发射。研究证明NaLaMgWO6∶Bi3+/Dy3+荧光粉是一种具有潜在应用前景的白光发光材料。

采用水热过程与进一步热处理的方法合成了六方相GdInO3∶Yb3+/Ho3+荧光粉。采用X射线粉末衍射(PXRD)对晶体结构和相纯度进行了检测, 结构精修结果表明, 获得的样品为纯的六方相GdInO3∶Yb3+/Ho3+荧光粉。用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对合成材料的形貌进行了表征。在980 nm激光激发下, 观察到Ho3+离子的539 nm绿光发射(5S2/5F4→5I8)和665 nm红光发射(5F5→5I8)。此外, 还发现通过改变Ho3+浓度得到了从绿光到黄光的可调发光特性。可调发光是由交叉弛豫(5F4/5S2+5I7→5F5+5I6)过程引起的。GdInO3∶Yb3+/Ho3+是一种很好的上转换材料, 可用于照明和显示领域。

采用射频磁控溅射法制备了CaWO4∶Yb3+薄膜并考察了沉积气压和时间对其结构、形貌和发光性能的影响。在不同的气压下, 薄膜的XRD结果与四方相白钨矿结构相吻合, 并且沿(004)方向择优生长。SEM图像显示, 薄膜表面由椭圆形颗粒和孔洞组成。在260 nm激发下, Yb3+在994 nm处发出强近红外光, 并且其强度随着溅射气压的升高总体是不规律的, 而随着溅射时间的增加先增强后减弱。由于优良的发光性能, CaWO4∶Yb3+薄膜可作为潜在增强硅太阳能电池性能的发光转化膜。

用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、正丁醇、环己烷和水组成的微乳液体系在水热环境下制备了一系列不同Tb3+掺杂浓度的CaF2Tb3+荧光粉。通过X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和能量色散光谱仪（EDS）来表征荧光粉的晶体结构、颗粒大小、形貌及成分，利用荧光的激发光谱和发射光谱以及荧光衰减曲线来表征荧光粉的荧光性能。实验结果表明：XRD测试结果与立方相CaF2吻合；SEM图像显示CaF2Tb3+荧光粉呈球形，且大小约为30 nm；荧光粉中Tb3+的最佳掺杂物质的量浓度为6%；光致发光发射光谱表明在259 nm光激发下该CaF2Tb3+ 荧光粉发出强的绿光。杰出的荧光特性使CaF2Tb3+荧光粉在荧光标记应用中成为一种有前景的绿色荧光粉。

利用水热法经过或未经过进一步热处理合成LuVO4∶Eu3+亚微米(或纳米)荧光粉。通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、光致发光光谱、衰减曲线对所得的荧光粉进行性能表征。LuVO4∶Eu3+荧光粉的激发光谱在275 nm的吸收峰主要来源于Eu→O电荷跃迁, Eu3+ 的f-f跃迁在紫外和可见光区域有395 nm和 466 nm两个强峰。从最佳掺杂摩尔分数的LuVO4∶8%Eu3+荧光粉中观察到Eu3+在619 nm 处强烈的发射峰对应于5D0→7F2跃迁。实验结果表明LuVO4∶Eu3+可作为潜在的红色荧光粉应用于显示与照明领域。

采用水热法并进行热处理成功合成了Eu3+掺杂La2(WO4)3红色荧光粉.通过粉末X射线衍射、扫描电子显微镜，以及能谱来表征荧光粉的晶体结构、颗粒大小、形貌及成分; 用激发光谱和发射光谱以及荧光衰减曲线来表征荧光粉的荧光性能.X射线衍射分析确认了水热的前驱体和后期热处理的样品主要相分别为三斜晶系的La2W2O9和单斜晶系的La2(WO4)3. 激发光谱表明La2(WO4)3∶Eu3+荧光粉样品在395 nm处有一个最强的吸收峰, 与紫外InGaN LED芯片发射波长相匹配;而且La2－xEux(WO4)3荧光粉在395 nm激发下有强红光发射.因此，La2－xEux(WO4)3荧光粉有望成为新一代白光LED用的红色荧光粉.

采用水热法合成了不同Tb³⁺浓度掺杂的单分散球形BaWO₄绿色荧光粉。通过粉末X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM),能量色散光谱仪(EDS)来表征荧光粉的晶体结构、颗粒大小、形貌及成分;激发光谱和发射光谱以及荧光衰减曲线来表征荧光粉的荧光性能。XRD分析确认不同Tb³⁺浓度掺杂的BaWO₄具有白钨矿结构;SEM图像显示不同 Tb³⁺浓度掺杂BaWO₄为单分散的球形荧光粉以及颗粒大小为2-4 μm。研究Tb³⁺离子掺杂浓度对发光强度的影响,结果表明,荧光粉中Tb³⁺离子的最佳掺杂原子数分数为12%。发射光谱表明在254 nm的UV光激发下12% BaWO₄:罷b荧光粉样品与商用绿色荧光粉LaPO4:罜e,Tb发光强度相当。由于Tb掺杂的BaWO₄绿色荧光粉具有优良的发光性能和容易制备的特点,有望成为新一代的绿色荧光粉。

测量了一系列Yb3+摩尔分数(0.125…1)在Yb3+∶GdAl3(BO3)4 晶体(Yb∶GAB)的室温偏振吸收光谱、发射光谱。为了揭示和消除辐射陷阱对Yb3+光谱性质的影响，分别测量了块状、粉末和稀释粉末样品的发射光谱。为了比较不同摩尔分数和不同方式辐射陷阱的影响，采用倒易法(RM)和Fuchtbauer-Ladenburg公式(FL)来计算发射截面。实验结果表明：随着Yb3+离子摩尔分数的增加，辐射陷阱效应对发射光谱的影响越来越严重。在发射光谱中，随着Yb3+离子摩尔分数的增加，短波段发射变弱，长波段发射变强，因此，提出了Yb∶GAB 晶体中发射光谱的重心波长移动 Δλ与 Yb3+离子摩尔分数之间的经验关系来定量分析Yb3+离子摩尔分数变化对辐射陷阱的影响；采用稀释法能够很好消除辐射陷阱对发射光谱的影响，而粉末法对于低Yb3+浓度的样品能够比较好地消除辐射陷阱的影响，块状样品直接测量很难消除辐射陷阱的影响。