稀土共晶闪烁体是通过定向凝固晶体生长技术, 将具有不同折射率的两相制备成具有射线探测功能的共晶材料, 其中含有激活离子的闪烁体相的折射率高于基质相。在高能射线辐照下, 闪烁体相将入射高能射线转换成荧光, 然后, 荧光在闪烁体相和基底相的界面以全反射的形式实现定向输出, 从而有效提高辐射探测成像的空间分辨率。本工作采用微下降法成功生长得到3 mm×117.0 mm 的1.0%(原子数分数)Ce∶GdLu2Al5O12/Al2O3闪烁共晶样品。通过切割抛光加工得到3 mm×2.0 mm的共晶薄片, 并将该共晶薄片进行微观结构、能谱分析和荧光性能等表征和测试, 结果表明所得到的共晶样品由Ce∶GdLuAG和Al2O3两晶相构成, 微观结构呈现出“中国结”结构, 并在生长方向呈现出一定的有序排列。荧光光谱测试表明该共晶材料存在Gd3+-Ce3+间的能量传递, 具有典型的Ce3+辐射跃迁, 其中双宽峰发射峰最强位于560 nm。此外, 根据生长速率对共晶样品发射峰强、峰位以及荧光寿命影响, 优化出最佳下拉生长速率为4.0 mm/min。

利用水热法经过或未经过进一步热处理合成LuVO4∶Eu3+亚微米(或纳米)荧光粉。通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、光致发光光谱、衰减曲线对所得的荧光粉进行性能表征。LuVO4∶Eu3+荧光粉的激发光谱在275 nm的吸收峰主要来源于Eu→O电荷跃迁, Eu3+ 的f-f跃迁在紫外和可见光区域有395 nm和 466 nm两个强峰。从最佳掺杂摩尔分数的LuVO4∶8%Eu3+荧光粉中观察到Eu3+在619 nm 处强烈的发射峰对应于5D0→7F2跃迁。实验结果表明LuVO4∶Eu3+可作为潜在的红色荧光粉应用于显示与照明领域。

采用水热法并进行热处理成功合成了Eu3+掺杂La2(WO4)3红色荧光粉.通过粉末X射线衍射、扫描电子显微镜，以及能谱来表征荧光粉的晶体结构、颗粒大小、形貌及成分; 用激发光谱和发射光谱以及荧光衰减曲线来表征荧光粉的荧光性能.X射线衍射分析确认了水热的前驱体和后期热处理的样品主要相分别为三斜晶系的La2W2O9和单斜晶系的La2(WO4)3. 激发光谱表明La2(WO4)3∶Eu3+荧光粉样品在395 nm处有一个最强的吸收峰, 与紫外InGaN LED芯片发射波长相匹配;而且La2－xEux(WO4)3荧光粉在395 nm激发下有强红光发射.因此，La2－xEux(WO4)3荧光粉有望成为新一代白光LED用的红色荧光粉.

采用水热法合成了不同Tb³⁺浓度掺杂的单分散球形BaWO₄绿色荧光粉。通过粉末X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM),能量色散光谱仪(EDS)来表征荧光粉的晶体结构、颗粒大小、形貌及成分;激发光谱和发射光谱以及荧光衰减曲线来表征荧光粉的荧光性能。XRD分析确认不同Tb³⁺浓度掺杂的BaWO₄具有白钨矿结构;SEM图像显示不同 Tb³⁺浓度掺杂BaWO₄为单分散的球形荧光粉以及颗粒大小为2-4 μm。研究Tb³⁺离子掺杂浓度对发光强度的影响,结果表明,荧光粉中Tb³⁺离子的最佳掺杂原子数分数为12%。发射光谱表明在254 nm的UV光激发下12% BaWO₄:罷b荧光粉样品与商用绿色荧光粉LaPO4:罜e,Tb发光强度相当。由于Tb掺杂的BaWO₄绿色荧光粉具有优良的发光性能和容易制备的特点,有望成为新一代的绿色荧光粉。