利用原子层沉积方法制备V2O5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制，并对纳米晶V2O5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显著影响.原子层沉积过程中V2O5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙，这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用.

为满足硫化锌(ZnS)薄膜在光学薄膜领域进一步应用的要求，基于原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)技术在130℃温度下以二乙基锌(DEZ)和硫化氢(H2S)为反应源，在砷化镓(GaAs)衬底表面沉积了ZnS薄膜。用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)分析了样品的表面形貌和膜界面特性，用X射线衍射仪(X-ray Diffraction, XRD)分析了薄膜的结构特性，并通过X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)分析了薄膜的化学成分。研究了厚度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明，得到的ZnS薄膜为多晶结构，薄膜的厚度随循环数线性增加，速率为1.45 ?/cycle。对在75℃温度下烘烤48 h后的薄膜进行了XPS分析，得出的Zn/S比为1.07:1，表明烘烤除去了薄膜中残存的H2S。以较短生长时间得到的较薄的薄膜具有更好的表面平整度和更致密的结构。