1 大连理工大学 三束材料改性重点实验室， 辽宁 大连 116024
2 中国科学院 计算机网络信息中心， 北京 100080
采用射频反应磁控溅射方法，在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO 薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质，并与密度泛函理论计算的结果进行了对比。研究结果显示：Cu掺杂ZnO薄膜均具有高的c轴择优取向，无Cu及其氧化物相关相析出，掺杂对晶格参数的影响较小，与理论计算结果一致。Cu掺杂显著改变了ZnO薄膜在近紫外及可见光波段的吸收特性，其光学带隙随着Cu掺杂量的增加有所减小，带隙宽度的变化趋势与理论结果有着很好的一致性。Cu掺杂显著降低了ZnO薄膜的发光效率，具有明显的发光猝灭作用，但并不影响光致发光的发光峰位。说明Cu掺杂导致的吸收特性的改变可能与杂质能级有关，这与能带结构计算发现的Cu-3d电子态位于价带顶附近的禁带中是一致的。
ZnO∶Cu薄膜 磁控溅射 密度泛函理论 结晶特性 光学性质 thin ZnO∶Cu films magnetron sputtering density functional theory crystallinity optical properties
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室, 大连 116024
采用射频磁控溅射方法制备了Er/Yb共掺ZnO薄膜，研究了退火处理对高浓度Er/Yb共掺ZnO薄膜的结构演化和光致发光(PL)特性的影响。X射线衍射分析结果表明：Er/Yb掺杂导致ZnO薄膜的晶粒细化及择优取向性消失，ZnO晶粒随退火温度的增加而逐渐长大。900 ℃退火时，出现Er3+、Yb3+偏析，退火温度高于1000 ℃时，薄膜与基体间发生了界面反应，1200 ℃时，ZnO完全转变为Zn2SiO4相。光致发光测量结果表明：高于900 ℃退火处理后，Er/Yb共掺ZnO薄膜在1540 nm附近具有明显的光致发光，发光强度在退火温度为1050 ℃时达到最大值；光致发光光谱呈现典型的晶体基质中Er3+离子发光光谱所具有的明锐多峰结构特征。此外，探讨了薄膜结构演化及其对光致发光光谱的影响。
光通信 Er/Yb共掺 光致发光 ZnO薄膜 微观结构
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室, 大连 116024
采用反应射频磁控溅射技术，通过调整溅射靶面上金属Er和Yb的面积比例制备出了不同Yb含量的Er/Yb共掺Al2O3薄膜，重点探讨了薄膜制备过程中Er、Yb成分比例控制的可靠性及Yb的掺杂浓度对Er/Yb共掺Al2O3薄膜室温光致荧光谱强度及峰型的影响。利用卢瑟福背散射谱(RBS)和电子能谱(EDX)对薄膜成分进行的分析表明
薄膜 Al2O3薄膜 Er/Yb共掺 光致荧光
