采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分, 但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性。通过分析样品的电致发光谱、能带结构、波函数交叠以及载流子浓度分布等, 发现沿生长方向阱内In组分线性增加的单量子阱样品的发光效率最高, 而In组分线性减小的样品发光效率最低。这是因为In组分的线性增加能够减弱极化场对价带的影响, 使阱内价带变得更加平缓。这不仅降低了空穴的注入势垒高度、增大了阱中的空穴浓度, 还增强了阱内电子-空穴波函数的交叠积分, 提高了辐射复合几率, 从而使In组分线性增加的量子阱的发光效率显著提高。
InGaN/GaN量子阱 In组分的线性分布 极化效应 辐射复合 InGaN/GaN quantum well linear distribution of In composition polarization effect radiative recombination
1 中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心, 北京 100083
2 中国科学院大学电子电气与通信工程学院, 北京 101408
3 中国科学院大学微电子学院, 北京 101408
最近二十年, 作为一种新型导航技术, 量子定位系统(QPS)因其特有的信息传输优势得到了飞速发展。简要介绍了卫星导航与惯性导航系统的原理及各自面临的问题, 阐述了量子定位导航系统的概念与基本原理、量子导航的优势、量子导航的分类及国内外发展状况, 并就目前量子导航所面临的问题及其发展前景提出了相应的观点。
量子光学 量子定位系统 卫星导航 量子通信 量子信息和处理 激光与光电子学进展
2018, 55(9): 090003
