许泽尧 1,2,*熊浩 1李平 1洪锦泉 3[ ... ]江琳沁 1
作者单位
摘要
1 福建江夏学院钙钛矿绿色应用福建省高校重点实验室, 福州 350108
2 福州大学物理与信息工程学院, 福州 350108
3 闽江学院福建省海洋传感功能材料重点实验室, 福州 350108
4 福建省计量科学研究院国家光伏产业计量测试中心, 福州 350003
本文采用简单的室温球磨法制备了一系列L-组氨酸(L-His)和5-氨基戊酸(5-Ava)修饰的Cs3Cu2I5钙钛矿荧光粉, 并对Cs3Cu2I5∶x%L-His和Cs3Cu2I5∶x%5-Ava(x=0、0.5、1、1.5、2)样品的物相、形貌、光学和稳定性进行了分析。氨基酸添加未对Cs3Cu2I5钙钛矿的晶体结构造成影响, Cs3Cu2I5仍属于Pnma空间群, 但氨基酸的加入对钙钛矿的晶粒尺寸有一定的限制作用, 并有效改善了其光电性能。当x=1时, 经L-His和5-Ava修饰的Cs3Cu2I5钙钛矿较纯Cs3Cu2I5钙钛矿的荧光强度分别提升约1.30倍和1.41倍, 光致发光量子产率(PLQY)提高约25.09个百分点和30.47个百分点, 荧光寿命有效延长。研究发现, 性能的改善与氨基酸中氨基以及羧基基团的作用有关, 氨基以及羧基基团钝化了钙钛矿的缺陷并抑制非辐射复合过程的能量损失。此外, 采用L-His和5-Ava修饰的Cs3Cu2I5钙钛矿荧光粉制备了蓝光发光二极管(LED), 在70 mA的偏流下, 该LED光效率较纯Cs3Cu2I5器件分别增强达1.85倍和2.10倍, 表明这类材料在LED领域有着极大的应用价值。
钙钛矿荧光粉 氨基酸修饰 光致发光量子产率 缺陷 非辐射复合 perovskite phosphor Cs3Cu2I5 Cs3Cu2I5 amino acids modification PLQY defect non-radiative recombination 
人工晶体学报
2023, 52(9): 1681
孟竹 1,*徐豪 2
作者单位
摘要
1 沈阳理工大学 理学院,辽宁 沈阳 110158
2 沈阳大学 科技创新研究院,辽宁 沈阳 110003
半导体纳米晶的多激子复合过程在激光器件、发光二极管和光伏等方面具有巨大的应用价值,但粒子体积的减小会加速多激子态的非辐射俄歇复合,这极大地阻碍了相关应用的发展。因此,抑制俄歇复合成为纳米晶体领域一个重要的研究课题。本文基于球形量子阱结构CdS/CdSe/CdS,通过共格应变减小由材料间晶格失配引起的缺陷,制备出高荧光量子产率的大尺寸纳米晶。应用时间分辨荧光光谱技术,在光谱学以及动力学领域研究了大尺寸量子阱的多激子复合特性,分析了单激子及多激子的衰减寿命和谱线特征,并证实了大尺寸量子阱对俄歇复合的抑制作用。本研究有望促进纳米结构在多激子应用中的发展。
大尺寸量子阱 多激子 时间分辨荧光光谱技术 非辐射复合 large-scale quantum well multiexcitons time-resolved fluorescence spectroscopy non-radiative recombination 
发光学报
2023, 44(6): 1051
作者单位
摘要
西北工业大学 微电子学院, 西安 710129
采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分, 但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性。通过分析样品的电致发光谱、能带结构、波函数交叠以及载流子浓度分布等, 发现沿生长方向阱内In组分线性增加的单量子阱样品的发光效率最高, 而In组分线性减小的样品发光效率最低。这是因为In组分的线性增加能够减弱极化场对价带的影响, 使阱内价带变得更加平缓。这不仅降低了空穴的注入势垒高度、增大了阱中的空穴浓度, 还增强了阱内电子-空穴波函数的交叠积分, 提高了辐射复合几率, 从而使In组分线性增加的量子阱的发光效率显著提高。
InGaN/GaN量子阱 In组分的线性分布 极化效应 辐射复合 InGaN/GaN quantum well linear distribution of In composition polarization effect radiative recombination 
半导体光电
2021, 42(3): 380
汤洋 1,2,*
作者单位
摘要
1 国家能源集团绿色能源与建筑研究中心, 北京 102211
2 北京低碳清洁能源研究院, 北京 102211
为在新型太阳能电池等先进光电器件中成功应用ZnO纳米柱阵列,需要以高沉积速率生长ZnO纳米柱,并能够对纳米柱的形貌与光电物理性质进行操控。使用电沉积方法制备ZnO纳米柱阵列,在主电解液中加入了六次甲基四胺,对所制备的ZnO纳米柱阵列的形貌与光电物理性质进行了测试分析。六次甲基四胺能够大幅提升ZnO纳米柱的生长速率,相比未使用六次甲基四胺的电解液配方,ZnO纳米柱的生长速率提高了356%。同时,纳米柱的直径与阵列密度得到有效降低,纳米柱间距增大至58 nm。六次甲基四胺的引入使ZnO纳米柱的光学带隙约红移了0.12 eV。在六次甲基四胺的作用下,ZnO纳米柱的斯托克斯位移减小0.15 eV,非辐射复合受到抑制。通过使用六次甲基四胺,实现了ZnO纳米柱的快速电沉积生长,同时实现了对纳米柱的光学带隙、近带边发射、斯托克斯位移、非辐射复合等光电物理性质的操控。
材料 纳米材料 氧化锌 六次甲基四胺 电沉积 快速生长 非辐射复合 
光学学报
2020, 40(16): 1616001
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第三十八研究所, 安徽 合肥 230088
2 固体微结构国家重点实验室, 江苏 南京 230091
通过将a-Ge∶H/a-SiNx多层膜进行氧化, 制备了nc-Ge/SiNx多层膜。观察到了室温下的强烈可见光发射, 发光波长为500 nm。通过分析, 排除了与量子限制效应有关的光发射机制, 也排除了与Si和N相关的缺陷产生的复合机制, 认为该发光源于氧化后的a-SiNx介质层中带尾态之间的辐射复合, 最有效的激发能量约为介质层的带隙。
纳米锗 光致发光 辐射复合 nanocrystalline-Ge photoluminescence radiative recombination 
发光学报
2017, 38(9): 1173
作者单位
摘要
1 哈尔滨工业大学 机电工程学院,黑龙江 哈尔滨150001
2 Center for Advanced Diffusion Wave Technologies (CADIFT), Mechanical and Industrial Engineering, University of Toronto, Toronto, Ontario MS5 3G8, Canada
激光诱发硅太阳能电池产生载流子,由于少数载流子的复合而发射红外辐射.基于一维载流子传输方程,建立了调制激光诱发PN结少数载流子密度模型,利用该模型仿真分析了载流子寿命、扩散率、表面复合率及光电压对辐射复合产生红外辐射信号的影响.利用InGaAs红外探测器(0.9~1.7μm)记录激光诱发载流子辐射复合的红外辐射信号,用数字锁相放大器提取了幅值与相位.通过频率扫描试验获得了多晶硅太阳能电池载流子传输参数.
载流子复合 辐射复合 红外辐射 太阳能电池 carrier recombination radiative recombination infrared radiation solar cell 
红外与毫米波学报
2014, 33(3): 248
刘鸿 1,*郑理 2杨洪军 1杨维 1[ ... ]朱晓玲 1
作者单位
摘要
1 成都学院(成都大学)电子信息工程学院, 四川 成都 610106
2 成都工业学院机电系, 四川 成都 611730
在砷化镓样品的自发辐射现象中引入了辐射复合系数的一般概念。对于高增益砷化镓光导开关中流注的自发辐射现象,依据求简单平均值的方法和归一化条件,近似确定了平均辐射复合系数为(883)≈0.1125。导出了各辐射波长的辐射复合系数与平均辐射复合系数之间的关系,计算了辐射波长为890 nm的辐射复合系数值为η(890)=0.1182,代入该值计算的最大光输出能量与实验观察结果吻合,证明该近似方法及其结果是合理的。
光电子学 砷化镓光导开关 自发辐射 辐射复合系数 
激光与光电子学进展
2013, 50(5): 052301
作者单位
摘要
四川大学 原子与分子物理研究所,成都610065
在FAC程序包中碰撞辐射模型的基础上,模拟出了L壳层的类Li氧等离子体的X射线辐射光谱,其中包括了单、双和三离子模型。经过分析得出,除了碰撞激发以外,级联效应和其它的动力学过程(如:碰撞电离、双电子复合、辐射复合以及共振激发等)对光谱的贡献都是不能被忽略的。并分析了类Li氧等离子体各动力学过程与温度和光谱相对强度之间的关系,分析结果表明X射线光谱的强度能及时响应等离子体温度的变化。
类Li氧 光谱模拟 双电子复合 辐射复合 Li-like oxygen FAC flexible atomic code spectrum simulation dielectronic recombination radiative recombination 
强激光与粒子束
2009, 21(8): 1230
作者单位
摘要
1 西北师范大学物理与电子工程学院,兰州,730070
2 兰州重离子加速器国家实验室原子核理论研究中心,兰州,730070
在相对论理论框架下,研究了自由电子与离子碰撞的辐射复合过程.在分析影响单电子体系(类H+离子及碱金属离子)辐射复合截面主要因素的基础上,总结出了辐射复合截面在不同情况下的变化规律.
光电离 辐射复合(RR)截面 相对论理论 Photoionization Radiative recombination(RR) cross section Relativistic method 
原子与分子物理学报
2005, 22(2): 316
作者单位
摘要
1 Dept. of Physics
2 Ningbo University, Ningbo 315211, Zhejiang, CHN
Amorphous Semiconductors Thin Film Devices Light Emitting Diodes Luminescent Efficiency Injection Efficiency Radiative Recombination Efficiency 
半导体光子学与技术
1995, 1(1): 24

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