采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜, 薄膜在80 ℃温度下经2 h恒温真空热处理, 通过原子力显微镜（AFM）对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究。 结果得到, 在硅片上生长的Pentacene薄膜是以台阶岛状结构生长, 其岛状直径约为100 nm。 且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长, 台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54 nm·s-1, 与Pentacene分子的沿长轴方向的长度相近。 从Pentacene薄膜的XRD图谱中可以看出, 薄膜在形成的过程中会因条件的不同而形成不同的结晶相, 分别为薄膜相和三斜体相, 且薄膜的结晶相将随着薄膜厚度的增加向三斜体相转变, 其临界厚度为80和150 nm, 当薄膜大于150 nm时, 薄膜的三斜体相占主导地位, 而当Pentacene薄膜的厚度小于 80 nm时, Pentacene薄膜呈薄膜相存在。

在固态阴极射线发光中, 过热电子碰撞激发有机材料而发光, 因此加速层对电子的加速能力是影响器件发光亮度的关键因素之一。 分别以SiO2和ZnO作为加速层, 制备出两种固态阴极射线发光器件A： ITO/MEH-PPV/SiO2/Al和B： ITO/MEH-PPV/ZnO/Al。 通过理论计算比较了电子从电极注入到加速层的隧穿电流密度以及SiO2层与ZnO层的电场强度, 计算结果表明： 在相同驱动电压下, SiO2作为电子加速层时隧穿电流的密度要大于ZnO层的隧穿电流的密度, 并且SiO2层的电场强度比ZnO层的电场强度大。 实验结果表明： SiO2作为加速层的器件的发光强度高于以ZnO为电子加速层器件的发光强度。

利用声光布拉格器件成功地设计并研制出了空间积分声光相关器, 实现了对模拟雷达信号(占空比为50%, 重复频率1 MHz, 载频为140 MHz)的空间积分声光相关检测。