硅砖属于酸性耐火材料, 具有高荷重软化温度和抗酸性渣侵蚀能力, 但抗碱侵蚀能力很差, 因此研究不同硅砖的抗碱侵蚀能力对硅质耐火材料的应用有重要意义。本文选用了四种硅砖(JG-95#硅砖、BG-96A#硅砖、ZES-99#硅砖和DES-99#硅砖), 采用化学分析、显微结构分析、X射线粉末衍射分析和显气孔体密度分析等方法对比分析了四种不同硅砖晶相组成和晶相转变对抗碱侵蚀能力的影响, 结果表明, ZES-99#硅砖和DES-99#硅砖的抗碱侵蚀能力明显优于JG-95#硅砖和BG-96A#硅砖, 即二氧化硅含量较高的硅砖抗碱侵蚀能力更强, 并且以方石英、鳞石英和熔融石英为主晶相的硅质耐火材料都具有良好的抗碱侵蚀能力。

采用熔融冷却法制备了Na2OCaOLa2O3B2O3SiO2玻璃，经热处理获得了硅酸盐氧基磷灰石硼硅酸盐玻璃陶瓷，并采用X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、差示扫描量热法（DSC）、产品一致性试验(PCT)法等方法探究了CaO取代SiO2对该硼硅酸盐玻璃陶瓷物相、微观结构和化学稳定性的影响规律。结果显示：随着CaO含量增加，硅酸盐氧基磷灰石晶相衍射峰增强，其他晶相的衍射峰减弱直至消失，当CaO摩尔分数为15%时获得只含CaLa4(SiO4)3O晶相的玻璃陶瓷样品；CaO含量会对玻璃陶瓷的晶相种类和晶体形状、大小、分布产生影响，CaO含量变化会造成陶瓷相晶体发生团簇和长大；采用PCT法浸泡28 d后，所有样品关于Si、Ca、La三种元素的归一化浸出率（g·m-2·d-1）均保持在10-3数量级以下，表明其具有优异的化学稳定性，且CaO摩尔分数为15%的玻璃陶瓷样品化学稳定性最优异。研究结果表明，硅酸盐氧基磷灰石硼硅酸盐玻璃陶瓷是固化富La和某些锕系元素高放废物的潜在基材。

以轻烧白云石粉、氯化铵和二氧化碳为原料, 在未使用晶型控制剂的情况下, 通过蒸氨-沉钙过程制备出了似立方体状碳酸钙。研究了反应温度、溶液中钙离子浓度、通气速率、搅拌速度以及陈化时间对碳酸钙中方解石相含量以及晶体形貌的影响, 并探索了沉钙反应的晶型控制机理。结果表明, 在反应温度40 ℃、钙离子浓度0.05 mol/L、通碳速率100 mL/min、搅拌速度400 r/min和陈化时间2 h的条件下, 制备出形貌规整、粒径分布均匀的似立方体状碳酸钙, 平均粒径为5~10 μm。该研究为提升白云石的使用价值、生产高附加价值的碳酸钙产品, 以及提高白云石资源的利用率提供理论基础。

采用溶胶凝胶法制备CuCrCaO2薄膜,研究不同气氛、退火温度下, Ca掺杂量对薄膜的形成和电学特性的影响.在N2环境中1 100 ℃退火, 制得CuCr1-xCaxO2 (x=0、0.01、0.03、0.05、0.07)薄膜.测量CuCrCaO2薄膜的X射线衍射, 在低浓度Ca掺杂时, 薄膜结晶良好, 晶格常数a、c和平均晶粒尺寸n随掺杂浓度上升而上升;高浓度Ca掺杂时, 有杂相生成, a、c、n重新变小, 和X射线衍射分析结果相吻合.另将3%Ca掺杂量, 分层旋涂后的薄膜分别在空气和N2中以不同温度快速退火, X射线衍射表明在N2条件下, 分层次的掺杂使CuCrCaO2结晶取向趋于单一, 并且退火温度越高, 择优取向越明显.用霍尔仪测量不同Ca掺杂量薄膜的电学特性, x=0.03时薄膜有最佳电导率1.22×10-1S/cm, 比未掺杂的薄膜提高了三个数量级, 说明适量Ca掺杂有助于提高薄膜电导率, 对应的薄膜载流子迁移率为1.77×1018 cm-3, 正的霍尔系数表明该材料是P型结构.

以4,4′-二羟基二苯甲酮为中心结构基元, 以酯基(—COO—)作为桥键, 烷基(m=5,6,7,8,9,10)为末端基团, 合成了一系列新型香蕉形液晶化合物(mPEPK), 通过IR、1H NMR、13C NMR和MS鉴定这些化合物的结构正确, 并经过差热扫描仪(DSC)和偏光显微镜(POM)测定其相变温度和相态织构。结果表明, 所合成目标化合物具有近晶相, 并且相转变温度较类似结构香蕉型液晶化合物有大幅度降低。

利用水热法，制备了具有不同形貌的NaYF4∶20%Yb3+,1%Tm3+上转换发光粒子。利用扫描电子显微镜、X射线衍射分析、发光光谱测量等手段对样品进行了形貌、晶相和发光性质的表征。结果表明，通过调控反应物的浓度，可以实现NaYF4基质从立方相到六角相的晶相转变。在980 nm红外光的激发下，六角相的NaYF4∶20%Yb3+,1%Tm3+上转换发光粒子发出蓝紫色可见光。通过分析反应物浓度对产物晶相的影响，为制备晶相可控的上转换发光材料提供了新的实验依据。

采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜, 薄膜在80 ℃温度下经2 h恒温真空热处理, 通过原子力显微镜（AFM）对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究。 结果得到, 在硅片上生长的Pentacene薄膜是以台阶岛状结构生长, 其岛状直径约为100 nm。 且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长, 台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54 nm·s-1, 与Pentacene分子的沿长轴方向的长度相近。 从Pentacene薄膜的XRD图谱中可以看出, 薄膜在形成的过程中会因条件的不同而形成不同的结晶相, 分别为薄膜相和三斜体相, 且薄膜的结晶相将随着薄膜厚度的增加向三斜体相转变, 其临界厚度为80和150 nm, 当薄膜大于150 nm时, 薄膜的三斜体相占主导地位, 而当Pentacene薄膜的厚度小于 80 nm时, Pentacene薄膜呈薄膜相存在。