采用射频磁控溅射法在石英衬底和硒化锌衬底上制备了碲化铋薄膜，分别研究了薄膜厚度、退火温度对薄膜微观结构和光电性能的影响。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪和冷场发射扫描电子显微镜，分析了薄膜结构、成分和形貌。结果表明，退火有利于薄膜的结晶，且不改变晶体的择优取向。傅里叶变换红外光谱测试结果表明，在石英衬底和硒化锌衬底上沉积的薄膜，光学透过率随着薄膜厚度和退火温度的增加而减小，在硒化锌衬底上沉积的薄膜透过波段比石英长，且光学透过率更加稳定。霍尔效应测试结果表明，随着薄膜厚度和退火温度的增加，薄膜的电阻率逐渐减小，最小为1.448×10^-3 Ω·cm，迁移率为27.400 cm²·V^-1·s^-1，载流子浓度为1.573×10²⁰ cm^-3。在石英衬底上沉积的15 nm厚的Bi₂Te₃薄膜，在1~5 μm波段的透过率达到80%，退火200 ℃后透过率达到60%，电阻率为5.663×10^-3 Ω·cm。在硒化锌衬底上沉积相同厚度的薄膜，在2.5~20 μm波段的透过率达到65%，200 ℃退火后透过率达到60%，薄膜电阻率为9.919×10^-3 Ω·cm。制备的Bi₂Te₃薄膜具有优良的光电特性，是红外透明导电薄膜领域理想的候选材料之一，在红外光电子学芯片制备领域有较好的应用前景。

采用射频磁控溅射与退火工艺相结合的方法，分别在石英和硒化锌（ZnSe）衬底上制备了掺铪氧化铟（IHfO）薄膜，掺杂比例In₂O₃：HfO₂为98wt.%：2wt.%.测试了薄膜的组成结构和3~5 μm红外波段的光电性质，分析了退火温度、薄膜厚度和氧气流速对薄膜性能的影响.X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱表明，制备的IHfO薄膜具有氧化铟的立方体结构，掺杂铪并没有影响氧化铟的生长方向，但是减小了晶格间距，铪与铟外层电子形成新的杂化轨道.傅里叶变换红外光谱表明，随着退火温度的增加，IHfO薄膜在3~5 μm波段的透过率逐渐下降，沉积在ZnSe衬底上的薄膜具有更平稳的透过率，厚度为100 nm薄膜在3~5 μm波段平均透过率为68%.测试霍尔效应表明，随着氧气流速的增加，IHfO薄膜电阻率逐渐增加，载流子浓度减小，霍尔迁移率变化不明显.晶界散射是影响IHfO薄膜迁移率的主要因素，当氧气流速为0.3 sccm时，薄膜最佳电阻率为3.3×10^-2Ω·cm.与透可见光波段的导电氧化铟锡（ITO）薄膜相比，制备的IHfO薄膜可以应用在3~5 μm红外波段检测气体，红外制导等领域.