在相对湿度低于90%（<90% RH）的大气环境下，通过界面种子层修饰策略，利用气动喷涂法制备出高结晶度、界面接触良好、结构稳定的CsPbIBr₂厚膜。界面种子层的引入对CsPbIBr₂厚膜的光学带隙（2.10~2.12 eV）没有太大的影响，但明显增强了其对光的吸收和发射，并且荧光寿命也明显延长（从0.95 ns 到4.49 ns）。由此厚膜制备的二极管型光电探测器（p-n CsPbIBr₂-ITO）具有非常低的暗电流（5.70×10^-10 A），并且展示出高效的光电探测性能：高开关比（1.8×10⁴）以及微秒级别的响应时间（上升时间和下降时间分别为9 μs、13 μs）。当未封装的CsPbIBr₂光电探测器处在<90% RH的大气环境下，其表现出强的抗水抗氧能力：储存60 d后，其仍能保持初始开关比的83%。所提方法为在大气环境下制备低成本、高性能、长效稳定的二极管型CsPbIBr₂光电探测器提供了一种有效的途径。

用磁控溅射的方法在透明导电氧化物衬底上制备了CdS薄膜, 制备时的衬底温度为30~200℃.X射线衍射测试结果表明在这一条件下制备的CdS薄膜是六角纤锌矿的多晶结构.扫描电子显微镜结果显示薄膜具有较好的晶体质量, 这一结论也和拉曼光谱、紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱的结果一致.拉曼光谱显示CdS薄膜内部的压应力随着制备温度的提高而增大.

采用HSE杂化势计算了Cd1-xZnxTe合金的性质，并获得了较传统GGA更为准确的光学带隙和形成焓.在构建超胞计算合金体系时，采用SQS模型.计算分析得出Cd1-xZnxTe合金的光学带隙下凹参数为0.266 eV，这与已报道实验结果0.254 eV非常吻合.同时，计算得出的形成焓较高，特别是在Cd0.5Zn0.5Te合金组分时(25.60 meV/atom).对合金中键长的分析后得出Cd-Te键和Zn-Te键的局域键长与CdTe和ZnTe体材料的值非常接近，但二者之间相差较大，从而导致合金材料中各个原子存在较大的弛豫，这也是该合金具有较大形成焓的主要原因.