1 上海大学 材料科学与工程学院，上海 200072
2 上海电力学院 数理学院，上海 200090
采用HSE杂化势计算了Cd1-xZnxTe合金的性质，并获得了较传统GGA更为准确的光学带隙和形成焓.在构建超胞计算合金体系时，采用SQS模型.计算分析得出Cd1-xZnxTe合金的光学带隙下凹参数为0.266 eV，这与已报道实验结果0.254 eV非常吻合.同时，计算得出的形成焓较高，特别是在Cd0.5Zn0.5Te合金组分时(25.60 meV/atom).对合金中键长的分析后得出Cd-Te键和Zn-Te键的局域键长与CdTe和ZnTe体材料的值非常接近，但二者之间相差较大，从而导致合金材料中各个原子存在较大的弛豫，这也是该合金具有较大形成焓的主要原因.
Cd1-xZnxTe合金 HSE杂化势 形成焓 光学带隙 第一性原理 Cd1-xZnxTe alloys HSE screened hybrid density functional formation enthalpy band gap first principle
