采用HSE杂化势计算了Cd1-xZnxTe合金的性质，并获得了较传统GGA更为准确的光学带隙和形成焓.在构建超胞计算合金体系时，采用SQS模型.计算分析得出Cd1-xZnxTe合金的光学带隙下凹参数为0.266 eV，这与已报道实验结果0.254 eV非常吻合.同时，计算得出的形成焓较高，特别是在Cd0.5Zn0.5Te合金组分时(25.60 meV/atom).对合金中键长的分析后得出Cd-Te键和Zn-Te键的局域键长与CdTe和ZnTe体材料的值非常接近，但二者之间相差较大，从而导致合金材料中各个原子存在较大的弛豫，这也是该合金具有较大形成焓的主要原因.

基于第一性原理, 采用广义梯度近似, 理论研究了新型三元系BxGa1-xSb合金的能带结构, 分析了硼(B)的含量对BxGa1-xSb合金能带特性的影响。理论计算结果表明, 硼相对摩尔含量在0～18.75%范围内时, BxGa1-xSb的Γ1c-Γ15v帯隙宽度值随硼含量单调递增, 平均增速为17.5 meV/%B, 其能带弯曲参数为2.23 eV; 其X1c-Γ15v帯隙宽度值随硼含量单调递减, 平均减速为12.8 meV/%B; 当x<10%时, BxGa1-xSb为直接帯隙化合物。同时还计算了硼相对摩尔含量为6.25%、12.5%和18.75%时BxGa1-xSb的形成焓。通过与BxGa1-xAs的形成焓对比, 预测BxGa1-xSb中硼的并入相对摩尔量可达7%。