河北大学物理科学与技术学院, 河北 保定071002
采用磁控溅射仪、 Omni-λ300系列光栅光谱仪、 CCD数据采集系统和光纤导光系统等构成的等离子体光谱分析系统, 采集了以Cu和Al为靶材、 氩气为工作气体, 射频磁控溅射法沉积硅基薄膜时的等离子体发射光谱. 以CuⅠ324.754 nm, CuⅠ327.396 nm, CuⅠ333.784 nm, CuⅠ353.039 nm, AlⅠ394.403 nm和AlⅠ396.153 nm为分析线, 研究了Cu和Al等离子体发射光谱强度随溅射时间、 溅射功率、 靶基距和气体压强等实验参数的变化. 并与射频磁控溅射沉积薄膜实验参数的选择进行对比, 表明发射光谱法对射频磁控溅射薄膜生长条件的优化有着很好的指导作用.
射频磁控溅射 等离子体发射光谱 硅基薄膜 RF magnetron sputtering Plasma emission spectra Si-based thin films 光谱学与光谱分析
2010, 30(12): 3179
河北大学 物理科学与技术学院,河北 保定 071002
采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,在相同的入射光参量下,研究了激光波长(λ)对Ce:KNSBN晶体两波耦合增益系数(Γ)、衍射效率(η)、响应时间及光扇效应入射光强度阈值的影响。结果显示,激光波长不同时,Γ、η、响应时间随光入射角2θ的演化趋势相同,但不同波长光入射时,对应相同的2θ,Γ、η及响应时间不同;激光波长不同时,Ce:KNSBN晶体中光扇效应的入射光强度阈值不同,λ为532nm时,阈值为38mW/cm2,λ为632.8nm时,阈值为26mW/cm2。
Ce:KNSBN晶体 非线性特性 激光波长 Ce:KNSBN crystal nonlinear properties laser wavelength
1 河北大学物理科学与技术学院, 河北 保定 071002
2 华北电力大学科技学院, 河北 保定 071051
采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置, 以单束光入射CeKNSBN光折变晶体, 通过改变抽运光偏振方向和晶体c轴的夹角φ, 系统记录了不同φ角下的抽运光透射光强p随时间的变化情况。实验结果表明,当φ≤30°时, 基本没有光扇效应; 实验研究了正交偏振光写入下CeKNSBN晶体的两波耦合动态过程, 并与e光写入下两波耦合动态过程进行了比较, 发现正交偏振光写入时光扇噪声得到了明显抑制, 在相同的写入参量条件下光栅的衍射效率明显提高。
光学材料 CeKNSBN晶体 正交偏振光 衍射特性
河北大学物理科学与技术学院,河北,保定071002
本文在常压空气环境下,以单脉冲YAG激光作为激发源,通过辅助电极激发,获得了铁电薄膜样品上不同位置处的等离子体发射光谱.利用最小二乘法对铁电薄膜样品中Co、Sr和La的光谱数据进行处理,得到了元素谱线辐射强度比和原子个数比之间的线性因子Kij,并利用线性因子Kij计算了铁电薄膜上不同位置处的元素比率.结果表明,激光微区等离子体光谱法可以用于测定亚微米薄膜材料中的元素比率.
激光微区等离子体光谱 铁电薄膜 线性因子
1 河北大学物理科学与技术学院,河北,保定,071002
2 河北农业大学理学院,河北,保定,071002
采用高能量钕玻璃激光器(～15J)在高压环境气体中激发诱导土壤等离子体,气体压强为0.9MPa,研究了不同环境气氛(高纯的氩气、氮气和二氧化碳气体)中,土壤等离子体辐射和电子温度的空间分布情况.以Ti的334.941nm和Mn的344.199nm两条谱线作为发射光谱观测线来分析说明等离子体辐射强度的空间分布规律,实验结果表明,在等离子体的轴向距离样品表面约z＝1.5mm位置区域,等离子体辐射强度最大.利用Ti的334.941nm和337.280nm两条谱线测量得到沿等离子体轴向1.0mm 和1.5mm高度区域的电子温度,结果显示,z=1.0mm区域的电子温度较高;在等离子体中心轴线区域的电子温度最高,并沿等离子体的径向单调递减;在不同环境气体中电子温度变化特征有所不同.
激光诱导土壤等离子体 辐射强度 电子温度 空间分布
研究了ICP(电感耦合等离子体Inductively Coupled Plasma)中甲基异丁基甲酮对试液物理性质(表面张力、粘度)及雾化特性的影响,观测了发射强度和信背比及阳流和栅流随加入浓度变化的关系,并且用ICP发射光谱法测定了自来水中的Pb元素.结果表明,试液物理性质的改变使雾化效率提高了,光谱强度增强了.用该方法对自来水样品中Pb元素的测定结果平均值为1.933*10-3 mg/L,RSD为3.87%,回收率为107%.
甲基异丁基甲酮 物理性质 雾化特性 ICP
采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置, 以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体, 系统研究了Ce:KNSBN晶体中光扇效应随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化情况。结果表明异常偏振光入射晶体时光扇效应明显, 且存在明显的入射光强度阈值特性, 入射光强度阈值为38.2 mW/cm2;相同光入射角下, 稳态光扇强度随入射光强度的增强而明显变大;对应相同的入射光强度, 稳态光扇强度随光入射角θ的增大而增大, 当θ为15°时到达峰值, 而后随θ的增大而逐渐减小。同时对光扇效应的入射光强度阈值特性以及稳态光扇强度随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化作出了相应的物理解释。
光学材料 Ce:KNSBN晶体 光扇效应 阈值特性 光入射角
河北大学物理科学与技术学院,河北,保定,071002
本文以YJG-Ⅱ激光微区光谱分析仪结合CCD光栅光谱仪组成微区分析系统,在减压氩气环境下,以长余辉材料涂层为分析样品,研究了激光微等离子体光谱分析方法用于涂层分析的准确度.实验中以SrⅡ421.552nm为分析线,采用三标准试样法,由计算机拟合LogI～LogC工作曲线,对锶进行了测定.结果表明:分析谱线相对强度RSD为3.08%,定量分析RSD为4.62%,分析结果平均值为21.91%.将该值与正常材料中锶的含量值相比较,发现经自然环境作用后不发光的长余辉材料涂层中锶的含量明显减小.
激光微等离子体光谱 定量分析 长余辉材料涂层 锶
在非同时读出条件下,采用Ar+ 514.5 nm单色激光为光源。以信号光为非寻常偏振光(e光),通过改变抽运光的偏振态,研究不同写入光偏振组态下Ce∶KNSBN晶体的两波耦合特性。结果表明
信息光学 光折变晶体 光扇效应 两波耦合 偏振组态
