1 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083
2 材料科学与工程学院,长沙,410083
3 湖南大学应用物理系,长沙,410082
本文建立了双层有机电致发光器件中载流子在有机/有机界面复合的无序跳跃理论模型.计算表明:①内界面处电子和空穴的有效势垒高义决定OLEDs中的电子和空穴密度的分布,而电子与空穴密度又决定了电场强度的大小;且复合效率随着有效势垒高度的增加而增加;②当电压较低时,复合效率随载流子有效跳跃距离的增加而增加;当电压较高时,复合效率随载流子的有效跳跃距离的增加而减少;③当界面场强差较小时,有机层界面场强突变增大,复合效率增大,当界面场强差达临界值时,复合效率反而随着界面场强差的增大而减小.该理论模型可较好地解释相关的实验现象.
有机/有机界面 复合效率 有效势垒高度 无序跳跃模型 Organic/organic interface Recombination efficiency Effective barrier heigth Disordered hopping model
1 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083
2 湖南大学应用物理系,长沙,410082
3 中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083
本文建立了双层有机发光二极管中载流子的注入、输运和复合的理论模型.模型中采用了较合理的无序跳跃模型来处理界面问题.计算和讨论了空穴传输层厚度和内界面处的空穴势垒对器件复合效率和复合区域宽度的影响.结果表明:器件结构的变化导致电场强度在器件中的重新分布,空穴传输层厚度和内界面处空穴势垒的变化对器件的复合效率和复合区域宽度有重要影响.
双层OLEDs 复合区域 复合效率 Bilayer OLEDs Recombination efficiency Width of recombination zone 原子与分子物理学报
2005, 22(3): 461
1 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083
2 湖南大学应用物理系,长沙,410082
3 中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083
基于Litovchenko提出的多孔硅三层模型和在此基础上由Li等人提出的多孔硅三层发光模型,利用半导体异质结理论导出了多孔硅芯部与夹层中载流子浓度、非平衡载流子数目、扩散电流密度、夹层与芯部发光强度的比值等关系式.结果表明:当Egint＞Egcore时,在0.2 eV＜ΔEv+ΔEc＜0.26 eV范围内发光谱将出现双峰,并在ΔEv+ΔEc＞0区域发光峰位不断向高能移动,发生蓝移现象;当Egint＜Egcore时,尽管芯部由于量子限制效应仍将导致发光峰蓝移,但芯部的发光相对夹层的发光相当弱,这时多孔硅发光谱呈现单峰.此模型定量地解释了多孔硅发光峰的蓝移起源于多孔硅量子限制效应,而发光出现发光双峰和发光峰位钉扎是由夹层物质决定,说明了多孔硅的发光存在多种发光机制.
多孔硅 三层模型 双峰结构 Porous silicon Three-layer light-emitting model Double-peak structure 原子与分子物理学报
2005, 22(3): 498
1 湖南大学应用物理系,长沙,410082
2 中南大学粉末冶金国家重点实验室,材料科学与工程学院,长沙410083
3 中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙410083
4 中南大学材料科学与工程学院
5 长沙 410083）
6 湖南大学应用物理系
7 长沙 410082）
研究了多孔硅(PS)吸附有机溶剂分子后对多孔硅荧光谱的淬灭效应.结果表明:淬灭多?坠璺⒐獾挠谢芗练肿邮羌苑肿?有机溶剂分子的极性不同对多孔硅发光的淬灭程度也不同,且有些有机溶剂分子吸附氧化多孔硅比吸附多孔硅引起的发光淬灭具有更好的可逆性和选择性;用含有胺基的正丁胺(CH3CH2CH2CH2-NH2)作碳源,用射频辉光放电等离子系统在多孔硅表面沉积c-n膜对多孔硅进行钝化处理后发现:其电致发光强度明显增强,发光峰位兰移,且在大气中存放60天后,其电致发光谱强度基本不衰减,峰位不再移动.经钝化处理的器件较未经处理的器件具有小的串联电阻R和低的驱动电压.这为提高多孔硅的传感特性提供了一种新方法.
多孔硅 c-n膜 串联电阻 传感特性 porous Si c-n film series resistance sensing characteristic
