作者单位
摘要
1 国网上海市电力公司信息通信公司,上海 200072
2 上海电力大学 电子与信息工程学院,上海 201306
为了提升网络边缘数据处理能力,满足终端大带宽和低时延的要求,构建了基于边缘基础设施的云计算平台,设计了具有动态带宽调整的光纤网络模型。提出了一种基于边缘云计算的时序优化算法,并将其应用于光纤无线网络。通过OPNET软件仿真分析了时序优化算法的传输时延均值,结果显示,优化后最大时延为43.1 ms,仅为传统方法的34.2%。实验对局域网内多个终端之间的数据通信进行分析,讨论了三种算法的传输能效、光纤信道利用率及传输能耗。实验结果显示,采用时序优化算法的测试结果具有明显改善,其传输能效提升了近1倍,边缘云数据传输时延均值信道利用率提升了约6.2%,网络传输能耗均值最优。该光纤无线网络模型及其优化算法在传输时延、信道利用率以及网络能耗方面具有明显提升。其在提升光纤通信链路选择及边缘端数据交互中具有一定的优势。
光纤无线网络 边缘云计算 时序优化 带宽调整 optical fiber wireless network edge cloud computing timing optimization bandwidth adjustment 
红外与激光工程
2022, 51(10): 20210938
作者单位
摘要
1 云南大学 材料与能源学院,国家光电子与能源材料国际研究中心,云南 昆明 650091
2 斯威本科技大学 平动原子材料中心,霍桑3122,澳大利亚
3 上海电力大学 电子与信息工程学院,上海 200090
报道了一种在Si+/Ni+离子共注入绝缘体上硅(SOI)基片上直接构筑纳米盘阵列光子晶体以实现SOI光致发光有效增强的方法。通过时域有限差分法(FDTD)设计出具有荧光增强效应的光子晶体结构金属膜,利用Langmuir-Blodgett(LB)方法在Si+/Ni+离子共注入SOI上排列一层聚苯乙烯(PS)小球,接着沉积一层Au薄膜,然后用电感耦合等离子体(ICP)蚀刻技术在SOI晶片顶部形成了纳米盘状的刻蚀Au光子晶体。光致发光(PL)实验表明光子晶体的引入有效增强了缺陷Si薄膜在近红外波段的发光效率。这种工艺简单、成本低且发光增益高的光子晶体在硅基集成光子学上具有重要的应用前景。
红外物理 光致发光 离子共注入 绝缘体上硅 光子晶体 等离子体 infrared physics photoluminescence ion co-implantation silicon on insulator photonic crystal plasma 
红外与毫米波学报
2021, 40(5): 680
作者单位
摘要
1 上海电力大学 电子与信息工程学院,上海  200082
2 上海大学 物理系,上海  200444
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海  200083
利用太赫兹瞬态光谱研究了La0.7Ca0.3MnO3薄膜的热力学性质。La0.7Ca0.3MnO3薄膜的金属-绝缘体相变温度在260 K左右,与铁磁-顺磁相变温度几乎相同。结果表明,La0.7Ca0.3MnO3薄膜的电导率与薄膜中磁矩取向密切相关。研究发现在40~200 K的低温范围内,La0.7Ca0.3MnO3薄膜的电导率可以用Drude模型拟合,在210~290 K的高温范围内可以用Drude-Lorentz模型拟合。
金属-绝缘体相变 铁磁-顺磁相变 太赫兹电导率 La0.7Ca0.3MnO3薄膜 metal-insulator phase transition ferromagnetic-paramagnetic phase transition terahertz conductivity La0.7Ca0.3MnO3 film 
红外与毫米波学报
2021, 40(4): 490
作者单位
摘要
上海电力学院电子与信息工程学院, 上海 200090
针对电力设备红外图像分割效果受非均匀背景和噪声干扰等因素影响的问题, 提出了一种基于粒子群优化方法的 Niblack设备红外图像分割算法。采用类间方差作为粒子群算法的适应度函数, 自动搜寻 Niblack法中图像不重叠矩形邻域的最优分割阈值, 并将其用于图像的二值化分割, 从红外图像中提取出设备的目标区域。实验结果表明: 该分割算法与传统的 Otsu等算法相比效率更高, 且误分率(ME)减少了 14%~78%。鲁棒性分析表明, 本算法对含较大噪声密度的红外图像分割性能优于其他传统算法, 从而有效提高了电力设备红外图像分割精度与效率。
红外图像分割 电力设备 Niblack法 粒子群算法 鲁棒性分析 infrared image segmentation power equipment Niblack method particle swarm optimization robustness analysis 
红外技术
2018, 40(8): 780
作者单位
摘要
1 江苏省电力公司电力科学研究院, 江苏南京 211103
2 上海电力学院, 上海 200090
观测距离和视角是影响红外热辐射检测精度的两个关键参量。为评估观测距离和视角对红外热像仪测温精度的影响, 实验测量了不同观测距离和视角条件下的温度, 并对测量的实验结果进行了分析。结果表明随着目标的观测距离和视角的增大, 红外热像仪的测温精度均出现一定程度降低, 通过对实验数据进行拟合补偿了距离和视角造成的误差。
红外热辐射 温度测量 观测距离 视角 infrared thermal radiation temperature measurement observation distance angle of view 
红外技术
2017, 39(1): 86
作者单位
摘要
上海电力学院 电子与信息工程学院,上海200090
利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现, 反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts与IF/IR函数关系提取的少子寿命随着基区厚度与少子扩散长度比值降低而明显增大.在77 K时,采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28 ns,而当考虑短基区效应时,所提取的少子寿命为51 ns. 这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值是采用脉冲恢复技术测量少子寿命技术中的一个重要参数.只有当基区厚度大于三倍少子扩散长度时,传统方法中无限基区厚度的假设条件才成立.
碲镉汞 少数载流子寿命 脉冲恢复技术 扩散长度 HgCdTe minority carrier lifetime pulse recovery technique diffusion length 
红外与毫米波学报
2014, 33(2): 117
作者单位
摘要
上海电力学院 电子与信息工程学院,上海200090
实验研究了具有pn结结构的碲镉汞光电二极管的双光子吸收.激发光源采用了皮秒红外脉冲激光.尽管入射光子能量仅为碲镉汞材料带隙的60%左右, 在光电二极管两电极端仍然观察到了显著的光伏响应信号.利用线性关系拟合双对数坐标系下光伏响应与入射光强的关系, 发现两者呈现二次幂函数增强趋势, 表明这种光伏响应是一种典型的双光子吸收过程.通过调节光电二极管两端的反向偏压, 空间电荷区内的双光子吸收系数可比耗尽层外的强致130倍, 这种双光子吸收系数的场致增强现象可归因为双光子吸收的FK效应所致.对比空间电荷区内外双光子吸收产生的光生载流子数量, 证实空间电荷区内的双光子吸收会强烈地影响器件的光伏响应.
碲镉汞 双光子吸收系数 光伏响应 HgCdTe two-photon absorption coefficient photovoltaic-response 
红外与毫米波学报
2014, 33(1): 36
作者单位
摘要
1 中科院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
2 上海电力学院 计算机与信息工程学院,上海 200090
利用皮秒脉冲激光激发碲镉汞线列探测器上的光敏元,发现光伏响应表现为在最初大约15 ns范围内首先形 成一个明显的负光生电压的响应谷,之后才演变为正的光伏响应峰.改变入射激光脉冲的光子能量发现,无论是光 子能量大于禁带宽度的单光子吸收跃迁还是小于禁带宽度的双光子吸收跃迁,器件的光伏响应随时间的演变均表 现出类似的规律.用光阑对探测器的受光面积进行限制将使负的光生电压减弱并接近消失.结合探测器线列的电 极分布构形,将负光伏响应指认为p-电极的肖特基接触所致.利用该方法有可能对p-电极是否形成欧姆接触进行 判定,其灵敏度应远高于常规的电学测量方法.
碲镉汞 脉冲激发 瞬态光伏响应 肖特基接触 HgCdTe pulsed excitation transient photovoltaic-response Schottky contact 
红外与毫米波学报
2009, 28(3): 161
作者单位
摘要
1 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083
2 湖南大学应用物理系,长沙,410082
3 中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083
基于Litovchenko提出的多孔硅三层模型和在此基础上由Li等人提出的多孔硅三层发光模型,利用半导体异质结理论导出了多孔硅芯部与夹层中载流子浓度、非平衡载流子数目、扩散电流密度、夹层与芯部发光强度的比值等关系式.结果表明:当Egint>Egcore时,在0.2 eV<ΔEv+ΔEc<0.26 eV范围内发光谱将出现双峰,并在ΔEv+ΔEc>0区域发光峰位不断向高能移动,发生蓝移现象;当Egint<Egcore时,尽管芯部由于量子限制效应仍将导致发光峰蓝移,但芯部的发光相对夹层的发光相当弱,这时多孔硅发光谱呈现单峰.此模型定量地解释了多孔硅发光峰的蓝移起源于多孔硅量子限制效应,而发光出现发光双峰和发光峰位钉扎是由夹层物质决定,说明了多孔硅的发光存在多种发光机制.
多孔硅 三层模型 双峰结构 Porous silicon Three-layer light-emitting model Double-peak structure 
原子与分子物理学报
2005, 22(3): 498
作者单位
摘要
1 湖南大学,应用物理系,湖南,长沙,410082
2 湖南大学,光电子材料研究所,湖南,长沙,410082
以电流连续性方程为基础,用易测量的注入电流密度来确定载流子浓度的边界值,得出载流子浓度和电流密度的解析表达式.计算并讨论了电子密度和电子电流密度在器件中的分布,电场对它们的影响以及电场与势垒对复合效率的影响.该模型较好地解释了有关实验现象.
有机电致发光二极管 电场 载流子浓度 电致发光效率 OLED electric field carrier density electoluminescent efficiency 
应用光学
2005, 26(2): 47

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