上海电力学院 电子与信息工程学院,上海200090
实验研究了具有pn结结构的碲镉汞光电二极管的双光子吸收.激发光源采用了皮秒红外脉冲激光.尽管入射光子能量仅为碲镉汞材料带隙的60%左右, 在光电二极管两电极端仍然观察到了显著的光伏响应信号.利用线性关系拟合双对数坐标系下光伏响应与入射光强的关系, 发现两者呈现二次幂函数增强趋势, 表明这种光伏响应是一种典型的双光子吸收过程.通过调节光电二极管两端的反向偏压, 空间电荷区内的双光子吸收系数可比耗尽层外的强致130倍, 这种双光子吸收系数的场致增强现象可归因为双光子吸收的FK效应所致.对比空间电荷区内外双光子吸收产生的光生载流子数量, 证实空间电荷区内的双光子吸收会强烈地影响器件的光伏响应.
碲镉汞 双光子吸收系数 光伏响应 HgCdTe two-photon absorption coefficient photovoltaic-response
1 中科院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083
2 上海电力学院 计算机与信息工程学院，上海 200090
利用皮秒脉冲激光激发碲镉汞线列探测器上的光敏元，发现光伏响应表现为在最初大约15 ns范围内首先形 成一个明显的负光生电压的响应谷，之后才演变为正的光伏响应峰.改变入射激光脉冲的光子能量发现，无论是光 子能量大于禁带宽度的单光子吸收跃迁还是小于禁带宽度的双光子吸收跃迁，器件的光伏响应随时间的演变均表 现出类似的规律.用光阑对探测器的受光面积进行限制将使负的光生电压减弱并接近消失.结合探测器线列的电 极分布构形，将负光伏响应指认为p-电极的肖特基接触所致.利用该方法有可能对p-电极是否形成欧姆接触进行 判定，其灵敏度应远高于常规的电学测量方法.
碲镉汞 脉冲激发 瞬态光伏响应 肖特基接触 HgCdTe pulsed excitation transient photovoltaic-response Schottky contact
1 Department of Applied Physics, Xi an University of Technology, Xi an 710084, CHN
2 Department of Applied Mathematics and Physics, Air Force Engineering University, Xi an 710038, CHN
半导体光子学与技术
2007, 13(4): 280
1 贵州教育学院物理系,贵阳,550003
2 贵州民族学院物理系,贵阳,550003
3 贵州大学物理系,贵阳,550022
本文对矩形光脉冲光电响应后沿拖曳的形成机制进行了详尽的实验研究和理论分析,认为形成该光电响应时滞后曳的主要根源在于光生电子与空穴的多声子慢态复合.我们给出了削减后沿拖曳、提高光电响应速度的有效措施,从而促进解决宽带光通讯的速度瓶颈问题.
光电响应 时滞后曳效应 异质结并接 photovoltaic response transient effect optical communication
