利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现, 反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts与IF/IR函数关系提取的少子寿命随着基区厚度与少子扩散长度比值降低而明显增大.在77 K时，采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28 ns，而当考虑短基区效应时，所提取的少子寿命为51 ns. 这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值是采用脉冲恢复技术测量少子寿命技术中的一个重要参数.只有当基区厚度大于三倍少子扩散长度时，传统方法中无限基区厚度的假设条件才成立.

实验研究了具有pn结结构的碲镉汞光电二极管的双光子吸收.激发光源采用了皮秒红外脉冲激光.尽管入射光子能量仅为碲镉汞材料带隙的60%左右, 在光电二极管两电极端仍然观察到了显著的光伏响应信号.利用线性关系拟合双对数坐标系下光伏响应与入射光强的关系, 发现两者呈现二次幂函数增强趋势, 表明这种光伏响应是一种典型的双光子吸收过程.通过调节光电二极管两端的反向偏压, 空间电荷区内的双光子吸收系数可比耗尽层外的强致130倍, 这种双光子吸收系数的场致增强现象可归因为双光子吸收的FK效应所致.对比空间电荷区内外双光子吸收产生的光生载流子数量, 证实空间电荷区内的双光子吸收会强烈地影响器件的光伏响应.