为研究激基复合物器件激子复合区域的变化, 在TPD/BPhen界面可形成激基复合物发光的基础上, 以Ir(pq)2(acac)为探测层, 制备器件ITO/MoO3(2.5 nm)/TPD((40-x) nm)/Ir(pq)2(acac)(0.5 nm)/TPD(x, x=0,3,6,10 nm)/BPhen(40 nm)/Cs2CO3/Al, 其中靠近BPhen的TPD称之为间隔层。电致发光光谱表明, 该组器件的激子复合区域主要位于Ir(pq)2(acac)薄层和TPD/BPhen界面, 分别发射595 nm和478 nm的光。随着TPD间隔层厚度的增加和电压的升高, 发光区域向激基复合物区域(TPD/BPhen界面)移动, 即更多的电子和空穴在TPD/BPhen界面形成激基复合物发光, Ir(pq)2(acac)发光减弱。当间隔层厚度由0 nm增至10 nm时, 6 V电压下的Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由44降至1.5。对于间隔层厚度为6 nm的器件, Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由6 V时的2.8降至10 V时的1.0。由此可见, 激基复合物给体作间隔层能有效调节激子复合区域。

针对新型芴类小分子材料6,6′-(9H-fluoren-9,9-diyl)bis(2,3-bis (9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl) quinoxaline) (BFLBBFLYQ)和空穴传输材料N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1, 1′-biphenyl-4,4′-diamine(TPD)及二者混合体系的荧光光谱和吸收光谱进行了测试表征, 制备了结构为indium-tin oxide (ITO)/BFLBBFLYQ∶TPD/Alq/Mg∶Ag的双层有机电致发光器件。 研究发现, BFLBBFLYQ∶TPD混合薄膜存在一个不同于单独分子薄膜的低能量发射光谱, 发光峰在530 nm处, 与tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(Alq)薄膜的荧光光谱相同, 亦与结构为BFLBBFLYQ∶TPD/Alq双层器件的电致发光光谱相同。 鉴于荧光染料4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran(DCJTB)的吸收光谱与Alq的荧光光谱有很好的重叠, 利用Forster能量传递理论, 将DCJTB红色染料引入双层器件, 通过调节掺杂位置, 考察器件的发光光谱情况, 进而对BFLBBFLYQ∶TPD/Alq双层器件的载流子复合区域进行了研究。结果表明, 双层器件的载流子复合区域位于BFLBBFLYQ∶TPD/Alq界面附近的Alq层内。for Organic Light-Emitting Device

本文建立了双层有机发光二极管中载流子的注入、输运和复合的理论模型.模型中采用了较合理的无序跳跃模型来处理界面问题.计算和讨论了空穴传输层厚度和内界面处的空穴势垒对器件复合效率和复合区域宽度的影响.结果表明:器件结构的变化导致电场强度在器件中的重新分布,空穴传输层厚度和内界面处空穴势垒的变化对器件的复合效率和复合区域宽度有重要影响.

制备了结构为 ITO/NPB/BAlq3/Alq3/Mg:Ag的有机电致发光器件(OLED),研究了有机层厚度对器件载流子复合区域的影响。实验结果表明当改变各有机层厚度时,OLED器件的电致发光光谱将发生从绿光到蓝光的变化。经分析这是由于各有机层电场强度变化影响了空穴和电子的隧穿几率,从而导致载流子的复合区域发生改变而发射不同颜色的光。