近红外聚合物光电探测器的光电特性灵活可调、与柔性基板兼容性好、制备工艺简单且成本低，在航空、**、工业、医疗等领域具有较大应用前景。近红外聚合物光电探测器的结构类型包括光电导体、光电二极管及光电晶体管，其中光电二极管的研究最为广泛。本文对近红外聚合物光电二极管（near-infrared polymer photodiodes，NIR PPD）的研究进展进行综述：首先，介绍了NIR PPD的光电转换原理；其次，分别从新材料合成和器件结构设计角度，详细讨论了在改善NIR PPD 性能方面取得的重要进展；最后，总结全文并提出当前NIR PPD 研究存在的挑战及其发展前景。

桥面多层膜系残余应力匹配是消除太赫兹微测辐射热计微桥结构形变的重要手段.仿真建立了像元尺寸为35 μm×35 μm微桥单元有限元模型.基于实验设计(DOE)正交法，采用IntelliSuite软件进行应力仿真，获得支撑层、钝化层、电极层、热敏层、吸收层应力分别为+200 Mpa、+200 Mpa、+200 Mpa、0 Mpa、-400 Mpa的最佳应力组合，最小微桥单元形变(0.0385 μm).通过各膜层残余应力控制，制备出基于该优化微桥单元结构的320×240太赫兹焦平面阵列，获得与仿真结果相符的极小形变微桥.

亚波长结构是特征尺寸小于工作波长的连续阵列浮雕结构, 可看成是一层折射率均匀的介质层, 仅存在零级的透射和反射衍射。基于等效介质理论和严格耦合波理论介绍了亚波长抗反射结构。为提高111μm波长太赫兹辐射(2.7THz)的透过率, 在硅表面设计了亚波长抗反射结构。该结构的透射率和反射率由其浮雕结构的周期、高度和占空比确定。利用等效介质理论和严格耦合波理论对其结构参数进行了优化设计。当周期为27μm、高度为13μm、占空比为0.75时, 得到了99.05%的太赫兹辐射透过率。

研究了真空退火温度对不同流量比工艺参数下PECVD氮化硅薄膜性能的影响，测试了退火后氮化硅薄膜厚度、折射率以及在氢氟酸中的腐蚀速率。结果表明，退火后氮化硅薄膜厚度及折射率变化与薄膜沉积工艺条件有关，而薄膜在氢氟酸中的腐蚀速率在退火后大大降低。结合退火前后氮化硅薄膜的红外透射谱对以上测试结果进行了讨论。

采用电泳和丝网印刷法在薄膜金属电极上制备Ag与碳纳米管(CNT)的复合阴极，系统研究了纳米Ag对CNT阴极场发射性能的影响，并对此导电机理进行了分析。利用扫描电子显微镜表征纳米Ag和CNT阴极的形貌，电泳沉积的纳米Ag粒不团聚，纳米Ag粒较均匀和致密。并与CNT阴极高温共烧结后，纳米Ag粒迁移至CNT阴极中，填补了CNT阴极与金属底电极间的接触空缺，还与CNT交错连接，形成CNT与金属底电极间良好的电学接触，改善了金属底电极与CNT间的电子传输和热传输。实验结果表明，利用纳米Ag作为过渡层可以改善和提高CNT阴极的场发射性能、亮度和稳定性。

采用在主体材料上蒸镀一层超薄层的方法， 研究了三种有机小分子荧光染料dimethylquinacridon（DMQA）、 4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethy ljulolidyl-9-enyl)-4-pyran（DCJTB）和5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene（Rubrene）的浓度效应对有机电致发光器件（OLED）电致发光光谱的影响。 结果表明， 与常规掺杂器件相比， 染料超薄层器件的光谱中出现了微弱的主体材料的发光峰， 浓度猝灭现象更为明显。 三种染料的浓度猝灭程度从高到低依次为DMQA、 DCJTB和Rubrene。 同时， 我们使用此三种染料配制了溶液， 测试了它们在不同浓度下的光致发光光谱强度， 进一步探讨了掺杂剂浓度猝灭强弱与器件的发光光谱特性的关系。

利用真空蒸镀方法以N2,N7二(间甲苯胺基)N2,N7二苯基2,7二胺基9,9二甲基芴[2,7-bis(p-methoxyphenyl-m′-tolylamino)-9,9-dimethylfluorene, TPF-OMe]为空穴传输层、8-羟基喹啉铝[tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, Alq3)]作为发光层及电子传输层,制备了双层器件。与制作的典型双层结构N,N′二苯基N,N′二(3甲基苯基)1,1′联苯4,4′二胺[N, N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, TPD/Alq3]器件相比,电流密度较大,发光效率低,发光谱峰为516 nm,色坐标为 (0.30,0.53),为Alq3材料发光。以TPF-OMe为发光层兼空穴传输层,2,9二甲基4,7二苯基1,10菲罗啉(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline, bathocuproine或BCP)为空穴阻挡层,Alq3为电子传输层,制作三层有机电致发光器件。结果表明,光谱峰值在414 nm,色坐标为 (0.20,0.24),为蓝色光,是TPF-OMe材料本身发光,器件在15 V电压下电流密度为1137 mA/cm2,亮度为900 cd/m2,在3 V偏压下有最大流明效率,为0.11 lm/W。基于TPF-OMe材料的器件的击穿温度比基于TPD材料的器件高近20 ℃,原因可能在于TPF-OMe材料比TPD材料高19 ℃的玻璃化转变温度(Tg)。

采用蓝色发光材料ADN为主体发光材料、BAlq₃为掺杂材料，通过改变BAlq₃的掺杂浓度制备了结构为ITO／NPB／ADN∶BAlq₃／Alq₃／Mg∶Ag的一系列蓝光有机发光器件(OLED)。研究了器件各有机层之间的能级匹配和BAlq₃的掺杂浓度对载流子注入、传输、复合以及发光色纯度的影响。实验结果表明，空穴阻挡材料BAlq₃的掺入显著影响OLED的电流密度、发光亮度、发光效率和发光光谱，当BAlq₃的掺杂浓度为25%时，OLED的发光效率为1．0lm／W，发光光谱的峰值为440 nm，色纯度为(0．18，0．15)，未封装器件的半衰期为950小时，器件同时满足了高效率和高色纯度的要求。

制备了结构为 ITO/NPB/BAlq3/Alq3/Mg:Ag的有机电致发光器件(OLED),研究了有机层厚度对器件载流子复合区域的影响。实验结果表明当改变各有机层厚度时,OLED器件的电致发光光谱将发生从绿光到蓝光的变化。经分析这是由于各有机层电场强度变化影响了空穴和电子的隧穿几率,从而导致载流子的复合区域发生改变而发射不同颜色的光。