电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都610054
桥面多层膜系残余应力匹配是消除太赫兹微测辐射热计微桥结构形变的重要手段.仿真建立了像元尺寸为35 μm×35 μm微桥单元有限元模型.基于实验设计(DOE)正交法，采用IntelliSuite软件进行应力仿真，获得支撑层、钝化层、电极层、热敏层、吸收层应力分别为+200 Mpa、+200 Mpa、+200 Mpa、0 Mpa、-400 Mpa的最佳应力组合，最小微桥单元形变(0.0385 μm).通过各膜层残余应力控制，制备出基于该优化微桥单元结构的320×240太赫兹焦平面阵列，获得与仿真结果相符的极小形变微桥.
太赫兹微测热辐射计 力学仿真 残余应力 正交实验设计 THz microbolometer mechanical simulation residual stress orthogonal design of experiment
1 电子科技大学 光电信息学院, 四川 成都610054
2 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 四川 成都610054
提出了一种高度可调、宽角度且具有完美吸收和极化不敏感的超材料吸波体.模拟的结果显示, 在5.8μm处可达到最高吸收率99.9%；通过改变其几何参数, 吸波体的谐振波长在3.4μm到8.6μm的范围内可任意地调节, 且都具有不低于95%的峰值吸收率.在横磁波下, 当入射角度小于80°时, 吸波体的吸收率保持在95%以上；在横电波下, 当入射角小于60°时, 吸收率保持在92%以上.此外, 极化角度在0到90°变化时, 吸波体具有极化不敏感性.
超材料 吸波体 红外 可调谐 metamaterial absorber infrared tunable 红外与毫米波学报
2015, 34(4): 0406
电子科技大学 光电信息学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
采用脉冲直流反应磁控溅射技术在不同的占空比条件下制备了氧化钒薄膜。利用X射线光电子能谱仪测定了薄膜的组分, 用光谱椭偏仪在300~850nm的波长范围内对薄膜的光学性质进行了研究。实验结果表明降低占空比具有促进金属钒氧化的作用, 而通过采用Tauc-Lorentz谐振子色散模型结合有效介质近似模型对椭偏参数Ψ和Δ进行拟合, 得到了较为理想的拟合结果。薄膜的复折射率和透过率均由椭偏拟合结果确定, 结果发现占空比的下降, 导致了可见光范围内薄膜折射率和消光系数的降低以及透过率的提高。
氧化钒薄膜 光谱椭偏 脉冲直流反应磁控溅射 占空比 Tauc-Lorentz模型 vanadium oxide thin film spectroscopic ellipsometry pulsed DC reactive magnetron sputtering duty cycle Tauc-Lorentz model
电子科技大学 光电信息学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
室温下, 采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜。研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响。X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构; 原子力显微镜表面形貌测试表明降低占空比可以得到更加光滑的薄膜表面; X射线光电子能谱测试表明降低占空比能够在反应溅射气氛不变的情况下促进钒的氧化; 对薄膜的热敏电学特性测试发现, 在293~368K, 小极化子跳跃是脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜中主要的导电机制。
氧化钒 脉冲直流溅射 占空比 电学性质 VOx pulsed DC sputtering duty cycle electrical properties
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件重点实验室, 四川 成都 610054
氧化钒薄膜是非致冷红外焦平面探测器的重要组成部分, 光电特性一直是国内外的研 究热点。用反应磁控溅射方法在K9玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜, 并在特定条件下对其进行了退火处理。结果发现, 在300 ℃下 退火180 s的氧化钒薄膜在可见光照射情况下呈现出了光伏效应, 这说明光生载流子在氧化钒薄膜表层形成后得到了有效分 离。该光伏特性为氧化钒薄膜在光电探测器中的应用拓展提供了有力的理论依据。
氧化钒薄膜 退火 光伏效应 Dember效应 场制表面电压 oxide vanadium thin film annealing photovoltaic effect Dember effect electric field induced surface voltage
