极紫外（EUV）投影光刻掩模在斜入射光照明条件下，掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸（CD）都将随入射光方向变化，即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿，得到了掩模（物方）最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模（物方）焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移；基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正，以目标CD为22 nm的线条图形为例，入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3 nm，但当目标CD继续减小时理论公式误差增大，需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。

采用一个极紫外投影光刻掩模衍射简化模型实现了三维接触孔掩模衍射场的快速仿真计算。基于该模型，得到了接触孔掩模衍射场分布的解析表达式，并对光刻成像时的图形位置偏移现象进行了解释和分析。简化模型中，掩模包括吸收层和多层膜两部分结构，吸收层的透射利用薄掩模修正模型进行计算，多层膜的反射近似为镜面反射。以周期44 nm、特征尺寸分别为16 nm和22 nm的方形接触孔为例，入射光方向发生变化时，该简化模型与严格仿真相比，图形特征尺寸误差小于0.4 nm，计算速度提高了近100倍。此外，考虑到多层膜镜面位置对图形位置偏移量的影响，得到了图形位置偏移量的计算公式，其计算结果也与严格仿真相一致。

建立一个计算极紫外投影光刻掩模衍射场的简化模型，在该简化模型中通过对入射光场进行追迹推导衍射场分布的解析表达式。简化模型中的掩模包括多层膜结构和吸收层结构两部分。多层膜结构的衍射近似为镜面反射。吸收层结构的衍射利用薄掩模修正模型进行分析，即将吸收层等效为位于某等效面上的薄掩模，引入边界点脉冲描述边界衍射效应，通过确定等效面的位置和边界点脉冲的振幅和相位，对经过吸收层的几何光波进行修正。吸收层结构的薄掩模修正模型能够用于计算斜入射角在12°范围内变化时，11 nm及其以上节点的密集线条的衍射场。以计算6°角斜入射、22 nm密集线条的掩模衍射场为例，该掩模简化模型与严格仿真计算结果相一致。