利用纳米压印工艺及对接生长工艺制作了基于分布反馈（DFB）激光器阵列的适用于波分复用光无源网络（WDM-PON）光网络单元（ONU）的低成本光源芯片。器件使用单片集成多模干涉器进行合波输出。测试结果显示，器件平均阈值小于10 mA，边模抑制比大于40 dB，波长调谐范围大于10 nm，出光功率大于0.2 mW。

利用光荧光谱及X射线双晶衍射研究了纳米压印工艺对半导体外延材料的影响。利用纳米压印工艺制作了1.55 μm通信用分布反馈(DFB)半导体激光器，并对制作的器件进行了老化寿命试验。实验结果表明，采用软模版压印并不会劣化半导体外延材料的特性。制作的半导体激光器预期寿命与普通双光束曝光法制得的器件预期相当，表明纳米压印工艺制作半导体激光器是可靠的。

光学吸收法是一种工程上有效可行的检测痕量甲烷气体的方法，具有广泛地应用于构建煤矿坑道等场合的安全防护和报警系统的潜力。为实现针对甲烷气体1653nm吸收峰特性的单色光源，采用金属有机化合物化学气相沉积外延和纳米压印等技术手段，从多量子阱外延材料设计和金属有机化合物化学气相沉生长到器件封装，研制了1653nm分布反馈激光器。器件性能达到了52dB边模抑制比、14.9%的外微分斜率效率、不大于12mA的阈值电流、匹配甲烷1653nm吸收带的0.116nm,20dB光谱线宽和稳定的光学与电学特性。基于该激光器，对体积分数为0.005~0.05的甲烷气体测试误差率不大于1.3%。结果表明，该器件能够应用于基于谐波法的痕量甲烷探测工程系统，且适应于批量制造。

利用沿谐振腔体的一维数值模型着重研究了采用纳米压印技术制作的λ/4相移光栅分布反馈半导体激光器(QPS-DFB-LD)的光谱特性对谐振腔体参数的依赖性。通过将理论计算的结果与实测光谱对照，抽取了用于理论计算的QPS-DFB-LD模型参数。计算结果表明，相移区对中心位置的偏离量较小时(不超过10%)不会对器件的光谱特性造成很大影响，而仅仅是带来微小的蓝移和边模抑制比(SMSR)的变化。而当相移区对中心位置的偏离实际存在时，距离相移区较近的一端光输出功率增大而另一端光输出功率减小，并且距离相移区较近的一端输出光谱SMSR略高。器件两端蒸镀减反膜后所残留的反射率仍会使激射模在一定范围内产生漂移，并使其SMSR产生一定程度上的劣化。