针对可调谐激光器光栅加工灵活性低和成本昂贵的问题，文章研究并设计了一种基于取样光栅（SG）的新型可调谐分布式布拉格反射（DBR）激光器以降低可调谐激光器的制作成本。文章提出利用SG取代传统DBR激光器的均匀光栅，在采用与均匀光栅相同的双光束干涉曝光工艺的情况下，可以在单片集成芯片中低成本并灵活地实现不同DBR激光器调谐范围的调整。通过对该结构DBR激光器的模拟研究发现，该激光器在工作范围内可以实现＞45 dB的边模抑制比（SMSR），单个激光器可以实现10 nm以上的调谐，不同激光器调谐范围的取值可以实现40 nm以上的整体调整。
半导体激光器 单片光子集成 可调谐激光器 semiconductor laser monolithic PICs tunable laser
1 华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家实验室, 湖北 武汉 430074
2 光迅科技股份有限公司, 湖北 武汉 430074
3 中国科学技术大学先进技术研究院, 安徽 合肥 230026
利用纳米压印工艺及对接生长工艺制作了基于分布反馈（DFB）激光器阵列的适用于波分复用光无源网络（WDM-PON）光网络单元（ONU）的低成本光源芯片。器件使用单片集成多模干涉器进行合波输出。测试结果显示，器件平均阈值小于10 mA，边模抑制比大于40 dB，波长调谐范围大于10 nm，出光功率大于0.2 mW。
光学制造 纳米压印 半导体激光器 单片光子集成 光学学报
2014, 34(11): 1113001
1 华中科技大学光学与电子信息学院光电国家实验室, 湖北 武汉 430074
2 光迅科技股份有限公司, 湖北 武汉 430074
3 中国科学技术大学先进技术研究院, 安徽 合肥 230026
利用光荧光谱及X射线双晶衍射研究了纳米压印工艺对半导体外延材料的影响。利用纳米压印工艺制作了1.55 μm通信用分布反馈(DFB)半导体激光器，并对制作的器件进行了老化寿命试验。实验结果表明，采用软模版压印并不会劣化半导体外延材料的特性。制作的半导体激光器预期寿命与普通双光束曝光法制得的器件预期相当，表明纳米压印工艺制作半导体激光器是可靠的。
集成光学 纳米压印 半导体激光器 单片光子集成电路
1 华中科技大学武汉光电国家实验室, 光学与电子信息学院, 湖北 武汉 430074
2 光迅科技股份有限公司, 湖北 武汉 430074
3 武汉邮电科学研究院, 光纤通信技术和网络国家重点实验室, 湖北 武汉 430074
设计制作了一种适合单片光子集成回路的InP基16通道，200 GHz通道间隔的阵列波导光栅（AWG）器件。采用偏振无关的深脊型波导以减小器件尺寸，提高光电子芯片的集成度。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD），光刻及感应耦合反应离子束（ICP）刻蚀技术，成功研制出芯片样品。测试结果显示，器件插入损耗约-10 dB，相邻通道串扰小于-15 dB。
光学器件 磷化铟 阵列波导光栅 波分复用器 单片光子集成
