1 北京理工大学 光电学院, 北京 100081
2 中国电子科技集团公司第44研究所 固体图像传感器事业部, 重庆 400060
为提高铂硅肖特基势垒红外探测器的量子效率, 文章将平坦的铂硅-p型硅金半接触界面设计成光栅结构, 利用光栅耦合激发表面等离子波效应提高铂硅红外探测器光耦合效率.采用严格耦合波分析方法优化了光栅结构参数以及模拟了探测器在等离子共振波长处的电场分布.最后探讨了光耦合效率与铂硅红外探测器量子效率的定量关系, 发现在3~5 μm波段光栅结构的量子效率较平坦结构能提高2倍多, 在波长3 μm和3.4 μm时分别提高294和2.5倍.
铂硅红外探测器 表面等离子波 光栅耦合 量子效率 PtSi infrared detector surface plasma waves grating coupling quantum efficiency
1 海军装备部驻重庆地区军事代表局， 重庆 400060
2 重庆光电技术研究所， 重庆 400060
与平面硅相比，黑硅对0.25~2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间，采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1064nm波长，探测器红外响应达到0.518A/W，比常规探测器量子效率提高了65%。
金属辅助刻蚀 黑硅 光敏二极管 量子效率 metal-assisted chemical etching black silicon photodiode quantum efficiency
