液相外延碲镉汞材料的贯穿型缺陷会在后续器件制备中导致多个盲元的形成。采用共聚焦显微镜对该类缺陷的深度进行了表征，并对缺陷底部的成分进行了测试。使用聚焦离子束（Focused Ion Beam，FIB）将缺陷挖开后对其进行观察。对于贯穿型缺陷较多的碲锌镉衬底外延生长碲镉汞薄膜，统计后发现碲镉汞表面的贯穿型缺陷与衬底缺陷存在一定的对应关系，因此推测液相外延贯穿型缺陷起源于碲锌镉衬底缺陷。
液相外延 碲镉汞 碲锌镉 缺陷 LPE HgCdTe CdZnTe defect
对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5 m左右)等。组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化。JSe/(JSe+JTe)值较小时, Se组分较难融入外延层; JSe/(JSe+JTe)值较大时, Se组分增长较迅速。同时, 若JSe/(JSe+JTe)值较小, 则Se组分增长趋势相对较易控制。当JSe/(JSe+JTe)值一定时, Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。
分子束外延 组分调整 CdSexTe1-x CdSexTe1-x molecular beam epitaxy composition adjustment
对碲镉汞p-on-n双层异质结材料的表面缺陷进行了研究。材料表面缺陷会对后续器件的性能产生影响。利用光学显微镜观察外延完的材料表面，发现表面不规则块状缺陷和表面孔洞缺陷较为常见。使用共聚焦显微镜、扫描电子显微镜、能谱分析等测试手段分析发现，缺陷的形成原因是p型层生长过程中镉耗尽以及n型层生长过程中产生缺陷的延伸。
碲镉汞 表面缺陷 mercury cadmium telluride p-on-n p-on-n surface defect
与n-on-p材料相比，p-on-n材料具有更低的暗电流和更高的工作温度，更适于长波以及高温工作碲镉汞红外焦平面器件。介绍了法国Sofradir公司、美国Raytheon Vision Systems公司以及国内的华北光电技术研究所和昆明物理研究所在长波p-on-n器件上的研究进展。
碲镉汞 长波 HgCdTe long wave p-on-n p-on-n
对影响Hg1-xCdxTe红外探测器性能的不同调控技术——包括材料调控(组分及温度、掺杂浓度、压强及应力等对材料性能的调控)、器件结构调控(n-on-p、p-on-n、p-i-n、n-B-n等器件结构的调控)和工艺调控(各种工艺调控对材料制备和器件制备等的影响)等——进行了简单介绍，以合理调控器件性能、有效降低器件暗电流、提高器件工作温度等，从而促进Hg1-xCdxTe红外探测器在降低成本、减小功耗、提高可靠性等方面的发展。
红外探测器 调控技术 infrared detector Hg1-xCdxTe Hg1-xCdxTe regulation technology
碲镉汞材料是制造红外探测器的基础，高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能，必须提高碲镉汞材料的电学性能。而掺杂是一个很好的选择。碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种。对于n型掺杂来说，In是一种理想的掺杂剂，其掺杂研究目前已比较成熟。相对而言，p型掺杂研究还不是那么深入。Hg空位、Au、As掺杂均为碲镉汞材料中常见的p型掺杂手段。通过分析和总结近些年的部分相关文献，介绍了碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展。
碲镉汞 Hg空位掺杂 Au掺杂 As掺杂 HgCdTe Hg vacancy doping Au doping As doping
材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光（Photoluminescence, PL）光谱仪是一种无损的有效检测技术。利用该技术对不同的窄禁带半导体材料进行了检测，然后用线型拟合光谱揭示了不同能级间的电子跃迁，并对结果进行了分析。结果表明，红外调制PL光谱是一种有效的材料能带和缺陷能级研究方法。
窄禁带半导体材料 PL光谱 能级跃迁 缺陷能级 narrow bandgap semiconductor materials PL spectra band transition defect energy level
利用扫描电镜、能谱分析、光学轮廓仪以及金相显微镜等测试手段对液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷的形貌、成分和断面进行了分析，并研究了不同种类表面缺陷的特征及来源。结果表明，液相外延碲镉汞薄膜表面上存在的结晶类缺陷往往尺寸较大或成片分布，对后续器件产生明显影响。通过分析其成因可以发现，母液均匀性的提升是减少该类缺陷和提高碲镉汞薄膜质量的关键。
碲镉汞 结晶类缺陷 相分离 HgCdTe crystalline defect phase separation
1 火箭军工程大学控制工程系, 西安 710025
2 西北工业大学航海学院, 西安 710072
对于多项式模糊系统, 提出一种具有公共Lyapunov矩阵的混合H2/H∞性能准则。基于多项式Lyapunov函数与平方和分解技术, 推导出多项式模糊系统混合H2/H∞状态反馈控制器的存在条件。通过求解一个具有多项式平方和约束的参数极小化问题, 给出了混合H2/H∞模糊控制器优化设计方法。
多项式模糊系统 混合H2/H∞控制 多项式Lyapunov函数 平方和优化 polynomial fuzzy system mixed H2/H∞ control polynomial Lyapunov function sum-of-squares optimization
1 西北工业大学电子信息学院，西安 710072
2 空军工程大学, 航空航天工程学院，西安 710038
3 广州军区空军装备部，广州510071
4 空军工程大学, 航空航天工程学院，西安 710038
5 空军工程大学,空管领航学院，西安 710051
针对对地突防过程中对多目标攻击的火力/电子**协同决策问题，提出一种基于指挥/参谋人员主观认知的火力/电子**协同多目标攻击决策方法。利用指挥/参谋人员的主观认知从战役和战术两个方面对目标的价值进行评估, 用同样的方法确定火力/电子不同杀伤方式对目标的攻击效能，以目标价值及攻击效能为基础构建综合作战效能评估模型, 并计算得到综合作战效能以及确定火力/电子**协同攻击决策方案。对此方法进行了仿真验证，结果表明该方法能够有效地对对地突防多目标攻击过程中火力/电子**的协同使用进行决策。
突防 火力打击 电子战 协同决策 penetration fire attack electronic warfare cooperative decision-making
