在硫酸介质中, 以硼氢化钠(NaBH4)为还原剂, 可将As(Ⅲ)还原为砷化氢(AsH3)气体使其逸出, 用Ce(SO4)2-H2SO4-KI混合液做吸收液, 在催化剂KI存在下四价铈与AsH3气体反应生成具有共振瑞利散射(RRS)的砷微粒和具有荧光的三价铈, 导致体系在370 nm处的RRS信号和在351 nm处的荧光强度增大。 在选定条件下, As(Ⅲ)浓度分别在0.006～0.76 mg·L-1和0.006～0.28 mg·L-1范围内与RRS增加值ΔI和荧光强度增大值ΔF351呈线性关系, 检出限均为3.0 μg·L-1。 据此可建立新的检测As(Ⅲ)的催化RRS和荧光光谱法。

为了提高聚合物微流控芯片的键合效率，以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微流控芯片为对象，以微型注塑机为平台，研究了聚合物模内键合方法。利用注塑机提供的合模力作为键合力，利用模温机提供键合温度，选择异丙醇作为辅助溶剂，借助溶剂溶解特性来降低模内键合中的键合温度和压力。在30~70 ℃，用测量显微镜和台阶仪测试分析了不同键合温度条件下，辅助溶剂对芯片的表面形貌和微通道结构的影响; 利用辅助溶剂进行模内键合实验，用电子万能实验机测试了芯片的键合强度，对模内键合工艺参数进行了优化。结果表明: 异丙醇对键合质量的影响与键合温度、键合时间有关，在较高温度下会使芯片产生皲裂、微沟槽变形和堵塞; 在键合温度为35 ℃，键合时间为5 min时，芯片的表面质量和微沟槽形貌较完整，键合强度不小于2.64 MPa。