采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况，并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率。研究发现，随着窗口层厚度的增加，顶面出光效率有所下降，侧面出光效率大大提高，总出光效率呈上升趋势，且总出光效率的最高分布区从芯片的四个直角区域向中央圆形电极边缘靠近。然而，随着芯片尺寸的增加，其变化趋势正好与之相反。在此基础上进一步对普通生产芯片进行模拟分析，得知其光提取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域，并以此为指导进行不透明电极形状的优化，进而对其条形电极的宽度进行优化，可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85％，能够为实际生产提供一定的理论指导。

用RKR(Rydberg-Kleinn-Rees)方法计算了Cs2分子的X1∑+g和A1∑+u的势能曲线,求解了Cs2分子核运动的径向薛定谔方程,获得X态与A态间跃迁的Franck-Condon因子和1.06 μm附近区域的吸收光谱,并与实验测得的吸收光谱作了比较,两者相当符合。

用光纤延时自差法测量二极管激光纵向泵浦单频运转的Nd:YVO4激光器的线宽。在1秒时间内,激光线宽为25kHz。还测量了线宽与激光器腔长和输出功率的关系。

用调制法布里-珀罗干涉仪方法稳定二极管激光泵浦的Nd:YVO4单频激光器的频率。在锁定情形下，激光频从自由运行慢漂移1.43 MHz/s和抖动±2.5 MHz分别改善到75.75 kHz/s和±1 MHz。

用加热法和压电陶瓷PZT调腔的方法，实现二极管激光泵浦的单频运转1064 nm 2% Nd:YVO4激光器调谐。调谐范围47.4 GHz，增益峰漂移引起的激光频率温度系数为—1.04 GHz/℃，压电陶瓷调谐系数150 MHz/V。研究了加热影响器件性能的情况。

报道了激光二极管纵向泵浦单频运转的Nd:YVO4激光器。用波长为809 nm激光二极管的连续输出功率660 mW泵浦，获得1064 nm、功率为155 mW连续单频输出，泵浦阈值226 mW，斜率效率33.8％，线宽小于10 MHz。

在国内首次报道了激光二极管泵浦单频连续工作的Nd:YAG激光器.采用扭摆模腔(TWC)技术方法,在808 μm激光二极管连续泵浦下,取得1064 nm连续单频工作,输出功率55 mW的结果.泵浦阈值276 mW,斜率效率23%,线宽小于25 MHz(受仪器测量精度限制).

报道激光二极管泵浦的Nd:YVO4激光器的激光特性研究。激光晶体Nd:YVO4厚度为1 mm,基横模(TEM00模)输出功率为273 mW,斜率效率为41%。

用镜象法求解金刚石薄膜和铜组成的热沉中的热传导方程,计算了不同厚度金刚石薄膜对器件温升和各条间温差的影响。

本文报道采用氧化物掩蔽Zn扩散平面条形结构的增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器的工艺和特性。获得了阈值电流小于200mA,输出功率大于240mW的实验结果。远场测试表明其具有良好的锁相特性。