1 福建师范大学 协和学院， 福州 350108
2 厦门理工学院 福建省功能材料及应用重点实验室，福建 厦门 361024
3 河南师范大学 物理与材料科学学院 河南省光伏材料重点实验室， 河南 新乡 453007
采用简化的种子层制备工艺在ITO基底上制备了ZnO种子层，并使用化学溶液沉积法制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列。采用XRD和SEM对ZnO纳米棒的结构和形貌进行表征，并对样品的光学性能进行了测试。测试结果表明，所制备的ZnO纳米棒为c轴择优取向的六角纤锌矿结构，直径为66~122nm可控，且排列紧密，形貌规整。光学性能测试结果表明，吸收光谱在375nm附近表现出强烈的紫外吸收边是由于禁带边吸收引起的；反射光谱具有一定的周期振荡性，可用于薄膜厚度的估算；光致发光谱在378nm附近有很强的紫外发射峰；增大生长液浓度和高温退火可降低缺陷发光，改善结晶质量。
ZnO纳米棒 吸收光谱 反射光谱 光致发光谱 ZnO nanorods absorption spectrum reflection spectrum photoluminescence spectrum
1 福建师范大学 协和学院，福建 福州 350108
2 厦门理工学院 福建省功能材料及应用重点实验室，福建 厦门361024
3 西安交通大学 电子陶瓷与器件教育部重点实验室，陕西 西安710049
为了快速制备具有优良场发射性能的ZnO纳米线，对ZnO纳米线的生长机理及场发射性能进行研究。首先采用优化的两步法制备出高长径比的ZnO纳米线，其次采用SEM对ZnO的微观形貌进行表征，然后，在分析形貌特点的基础上，说明了强碱体系下ZnO纳米线薄膜的快速生长机理。最后，对典型样品的场发射性能进行了测试。测试果表明，优化后的两步法，只需3 h即可获得直径为40~50nm，长度为2.2~2.7 μm，长径比高达54的纳米线。薄膜的开启电场为3.6 V/μm，阈值场强为9.1 V/um，场增强因子β高达3 391。研究表明，高pH值溶液可以加快ZnO纳米线沿C轴方向的择优生长，获得高长径比的ZnO纳米线，进而获得优良的场发射性能。
纳米线 生长机理 场发射 ZnO ZnO nanowires growth mechanism field emission
1 宁德师范学院 物理与电气工程系,福建 宁德 352100
2 福建师范大学 物理系,福州 350108
用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5 nm～114 nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32 nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32 nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减.
磁控溅射 铬薄膜 结构 光学性质 电学性质 Magnetron sputtering Cr film Structure Optical properties Electrical properties
