红外光学成像系统的灵敏度与光学窗口透射率密切相关，锗窗口是红外光学系统的常用窗口，在锗窗口上制备亚波长结构可以增强抗反射性能从而提高透射率，且常选择凸面窗口以获得更大的视场角。针对在曲面窗口上亚波长结构的制备工艺较为复杂的难题，本文运用柔性紫外纳米压印方法（soft UV-NIL），在凸面锗窗口表面高效、高质量地制作了亚波长抗反射结构。首先基于时域有限差分方法优化设计了亚波长抗反射结构参数，然后基于soft UV-NIL工艺制备了符合设计要求的亚波长结构。测试结果表明，在3.55~5.55 μm波长范围内，凸面锗窗口单面平均透射率由65.81%提升到78.68%，在波长为4.4 μm处，透射率由65.85%提升至83.13%，实现了中红外宽波段抗反射效果。

采用Bphen/Ag/Bphen作为阴极缓冲层，制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池，研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明，在Bphen缓冲层中加入1nm的Ag时，器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型，计算了缓冲层对器件性能参数的影响。发现Bphen/Ag/Bphen可以改善有机层和电极的界面接触性能，降低器件的串联电阻。此外，测试了器件的吸收光谱，研究了复合缓冲层对器件光子吸收的作用，发现加入Ag薄层后提高了器件的光吸收能力。

采用双坩埚嵌套高温固相法在950 ℃下成功地合成了Ba2ZnS3:Cu荧光粉,探讨了工艺条件和Cu掺杂量对样品发光亮度的影响,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计分别对其结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明:样品具有单一的Ba2ZnS3晶相结构;与Ba2ZnS3基质不同,该荧光粉的激发光谱在近紫外区存在一个从275~350 nm的宽激发带,归因于Cu发光中心的吸收;该荧光粉在近紫外光激发下发出明亮的黄光,发射中心波长位于560 nm处,是一种良好的黄光材料。

采用真空热蒸镀方法,制备了四种多层结构OLED器件,其结构为:ITO/CuPc(20nm)/α-NPD(60nm)/Alq3(40nm):C545T(X%)/Alq3(20nm) /LiF(10nm)/Al(100nm),其中X%为发光层掺杂浓度,实验中分别取1%、2%、3%、4%,都获得了性能稳定的绿色OLED器件.从实验结果分析可知:绿色OLED器件的电流-电压(I-V)特性曲线,亮度-电压(L-V)曲线,亮度-电流(L-I)曲线及效率等光电性能随着掺杂浓度的变化而随之改变.从其中总结规律,对OLED器件制作工艺有一定的指导作用.

采用真空热蒸镀的方法,在高精度膜厚控制仪监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀,其中发光层采用主体材料与掺杂材料在一个真空腔体同时共同蒸发,制备了一种高亮度多层结构的红色有机电致发光(OLED)器件：ITO-CuPc(20 nm)-αNPD(60 nm)-Alq3(40 nm)∶Rubrene(10%)∶DCJTB(1%)-Alq3(20 nm)-LiF (10 nm)-Al(100 nm)。研究发现：驱动在电压为5～52 V变化时,其亮度基本满足线性增加关系,随之饱和;随着驱动电压的变化,其电致发光光谱有蓝移的现象,发射峰从638 nm变到632 nm,同时色坐标CIEx,y值也发生相应的变化;器件的流明效率在驱动电压较低时(V=5 V),达到最大值ηLmax=0.497 lm·W-1,随着驱动电压的增加,流明效率有降低的趋势。