利用重复频率为1 kHz的钛蓝宝石飞秒激光烧蚀悬浮在甲醇中的单壁碳纳米管制备碳炔。利用表面增强拉曼光谱仪和紫外可见吸收光谱仪对样品溶液进行光谱表征，并用高效液相色谱仪对样品进行分离，确认有碳炔（C_nH₂，n＝6，8，10，12，14，16）生成，其中的主要产物是C₈H₂。对制备碳炔的最佳激光功率与最佳加工时间进行了研究，结果显示：当激光单脉冲能量为0.52 mJ、加工时间为1.5 h时，可以获得最高的碳炔产率。对碳炔的合成机制进行了较深入的解释。激光功率密度存在饱和阈值，该饱和阈值与C₂自由基的碎裂程度有关，激光功率密度超过饱和阈值后会打破C₂自由的“反向” 第四键，进而影响C₂自由基合成碳炔。因此，随着激光单脉冲能量增大，碳炔的产率呈现先增加后降低的现象。本研究可为碳炔的大规模制备提供重要参考。

纹波系数是超辐射发光二极管（SLD）的关键指标，增透薄膜被用于降低纹波系数。基于平面波方法的增透膜设计得到广泛应用，然而倾斜腔面SLD中增透膜的性能普遍不佳，使用时域有限差分方法进行分析，发现存在反射曲线偏离和反射率高等问题。优化了增透膜设计，优化后1°~10°腔面倾角内的反射率降低，降幅最高达82%，其中双层增透膜反射率低于0.05%。采用反应磁控溅射工艺镀膜，并验证了优化设计效果。经过增透膜优化，光谱纹波得到有效抑制，SLD管芯纹波系数和调制系数分别仅为0.019 dB和2.30×10^-3，降幅超过50%，在100 mA的驱动电流下仍保持10 mW的光功率。所研制的增透膜能够有效减小腔面反射率，利用该增透膜制备了低纹波SLD。研究结果为SLD及其他半导体光电子器件的光学薄膜研制提供了参考。

为促使食品接触紫砂制品中添加剂的使用符合国家标准, 通过仪器分析法, 建立一种有毒钡盐添加于紫砂制品中的无损检测技术, 使行业能有效利用于紫砂生产质量管理及产品材料的安全评估。 以能量色散X射线荧光光谱法直接对样品进行测试, 建立一套具有成分的标样以完成光子数与含量的函数关系, 并对大量的紫砂原矿、 泥料原料及各时期的紫砂制品进行对比数据库的建立以及精密度的分析。 在所选择的仪器及工作条件下分析重复测试的一致性相对标准偏差RSD为1.75%～4.83%。 标准样品的均匀性相对标准偏差RSD为3.10%～5.59%; 选取10件紫砂器样品进行样品的均匀性分析, 相对标准偏差RSD为1.23%～12.30%。 对厚度由1.9～14.1 mm的试片进行检测, 试验值与真实值的变化率为-6.94%～78.44%。 对109件紫砂矿料样本进行分析, 试验结果钡元素含量平均值为0.029 5%。 对三款原矿无添加碳酸钡的泥料原料以及两款添加约千分之三碳酸钡的紫砂泥料进行试验, 结果显示有添加碳酸钡的泥料, 钡的试验值为0.380%～0.398%。 无添加碳酸钡的泥料, 钡的试验值为0.016 2%～0.046 1%。 对11件具有明确纪年的紫砂器进行试验, 1979年及其之后样品的钡含量为0.238 8%～0.387 7%。 从1 085件紫砂成品样品实际分析数据中显示, 1979年以后的紫砂制品中的钡含量呈现逐步攀升的趋势。 该方法具有无破坏性、 效率高、 速度快、 准确度及重复测试一致性好及操作简易等特点, 相较于化学检验法更适合运用于食品接触陶瓷制品紫砂中添加剂碳酸钡的测定。 同时, 经过大量的试验数据得到人为添加碳酸钡的大致起始年代约在1979年, 此后紫砂制品中钡元素的含量呈现不断上升的趋势, 表明在缺乏有效测定方法和技术监管的情况下, 当下添加碳酸钡的行为未能获得实质控制。

高功率下光束质量恶化问题制约着锥形激光器的发展，基于腔面光学薄膜，研究了腔面反射对光束质量的影响。建立了不包含抗反射结构的物理模型，采用锥形激光器的电光模型进行仿真，分析了不同腔面反射率下器件的光场分布。结果表明，在传统锥形激光器中，存在强烈的光泵、光束成丝、自聚焦和空间烧孔效应，来自腔面的剩余反射引发了上述非线性效应，最终影响光束质量。前腔面反射在此过程中起着关键作用，后腔面同样对光束质量有较大影响。通过优化腔面反射率，提出了两种优化路径，部分设计的光束质量因子小于2，实现了高光束质量。研究结果为锥形激光器的设计提供了参考。

针对天基观测复杂环境下空中弱小目标远程广域探测的需求, 立足于天基光学探测链路, 分析太阳光照、云层及地表等复杂背景环境与目标辐射的相互作用机理, 在此基础上提出影响天基目标光学特性的探测场景环境要素; 然后结合目标的可探测性表征, 分析在不同探测谱段情况下, 不同光照、地表背景类型及云层等复杂环境要素对目标可探测性的影响规律; 最后以某典型目标为例, 结合现有的目标特性认知与理论建模, 分析得出复杂环境要素的影响排序, 并根据目标信杂比随谱段的变化特性, 提出探测谱段的优选建议, 为我国隐身/反隐飞行器设计、探测系统设计及信息处理算法优化提供理论依据与科学指导.

在硅基OLED微显示器中，为了解决很小的像素驱动电流的难题，论文提出了一种像素电路。此像素电路由2个PMOS、2个NMOS、1个存储电容、1个OLED和4根信号线组成。并且利用HSPICE基于TSMC 035 μm CMOS 5 V工艺的参数进行了仿真验证。在此像素电路中，当OLED发光时流过OLED的电流是恒定的，并且通过控制OLED的发光时间来实现不同的灰度。此像素电路完全由数字信号控制，能实现精确的灰度调节。通过6个子场，实现了21级灰度，进而论证了实现64级灰度(0~63)的可能性。当OLED发光时，流过的恒定电流是353 nA。

采用溶胶-凝胶法制备了非晶锌锡氧化物(ZTO)薄膜晶体管(TFT), 通过热重-差热分析(TG-DTA)对ZTO胶体中的化学反应进行了分析, 研究了不同退火温度对ZTO TFTs性能的影响。结果表明: 当退火温度在300～500 ℃范围内时, 薄膜为非晶态结构, 薄膜表面致密、平整。当退火温度达到400 ℃时, 薄膜在可见光范围内具有高透过率(>85%)。随着退火温度的升高, 器件阈值电压明显降低, 由15.85 V降至3.76 V, 载流子迁移率由0.004 cm2·V-1·s-1提高到5.16 cm2·V-1·s-1, 开关电流比达到105。退火温度的升高明显改善了ZTO TFT的电学性能。

六硼化镧(LaB₆)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料。而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB₆薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力。为了测量LaB₆ 薄膜的逸出功,采用电子束蒸发技术沉积LaB₆薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射分析和X射线光电谱分析。通过测量薄膜的热电子发射特性和敷LaB₆薄膜的硅尖锥阵列的场致电子发射特性确定了LaB₆薄膜的逸出功,与块状LaB₆多晶材料的逸出功大体相同,说明电子束蒸发沉积技术适合于制备高纯度、低逸出功的LaB₆薄膜。

分析了传统牺牲层材料铝在制备LaB6场发射阵列时存在的问题,利用溅射及热蒸发工艺依次制备铝膜和氧化锌膜,制备出了一种新型的牺牲层——ZnO-Al复合牺牲层,并对所制备的阵列进行了测试。实验结果表明：ZnO-Al复合牺牲层能够有效地解决电化学腐蚀的问题,所制备出的LaB6场发射阵列尖锥保持了完好的形貌,其发射特性也达到了最初制备场发射阵列的要求,说明ZnO-Al复合牺牲层是作为LaB6场发射阵列牺牲层的理想材料。

有机电致发光从最初进行的研究直到今天,在许多方面都有了很大的突破,但目前仍存在着一些困难,例如器件的寿命就是比较关键的问题.如果器件具有较高的发光效率,便可在出射光子数相同的情况下,减少电子数的注入,从而降低了器件的焦耳热,提高了器件的寿命,所以提高OLED的量子效率是解决器件寿命问题的关键所在.利用微透镜提高器件的外量子效率可以取得明显的效果.本文探讨了Tracepro在OLED微透镜设计中的应用.