1 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 四川 成都 610054
2 电子科技大学 光电信息学院, 四川 成都 610054
随着投影技术的发展,投影系统已被广泛应用于工业和消费电子领域,为了适应市场对其微型化、高清画面和低功耗的要求,设计以德州仪器的DLP2010芯片组为核心,以FPGA为前端控制器,通过I2C和并行视频图像信号对0.2 in(1 in=25.4 mm)DLP芯片组进行控制及图像的投影显示。该设计可使整个设备体积微型化、能耗低、投影图像清晰,适合穿戴式微投影场景的使用。
微型投影 穿戴式 DLP DLP FPGA FPGA micro-projection wearable
研究了一种LaB6与TaC混合涂层热阴极，其发射层通过均匀混合LaB6与TaC粉末得到。比较了该阴极在LaB6与TaC混合比例为1∶1, 2∶1和3∶1下的发射特性，发现混合型LaB6阴极的功函数与多晶LaB6阴极的非常接近，在3∶1的混合比例下，电极的发射电流稳定，得到的电流密度为30 A/cm2。该电极可被应用于需要大电流密度和超大面积阴极的真空电子器件及动态真空电子束设备中。
热电子阴极 功函数 电子发射 LaB6 LaB6 thermionic cathode work function electron emission 强激光与粒子束
2013, 25(10): 2739
电子科技大学光电信息学院， 四川 成都 610054
利用射频磁控溅射结合水热生长两步法制备了均匀致密分布的ZnO纳米晶薄膜，并利用碳纳米管阵列场发射阴极测试了其场电子激励下的发光特性。结果表明，在电子束流激励下，ZnO纳米晶薄膜的光谱具有两个发射峰，其中黄绿峰属于缺陷发光而紫外峰来源于ZnO的内在激子，且随电子束流密度的增大紫外峰发光强度增长明显。另外，还发现ZnO纳米晶薄膜相对于常规ZnO薄膜的光谱有一定程度的红移，近紫外峰已移至紫光波段。
光电子学 射频磁控溅射水热生长法 场电子激励发光 ZnO纳米晶薄膜 光谱红移
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照明光路是决定投影仪光学引擎的光能利用率和光学体积的主要因素。传统照明光路针对朗伯光源进行收集与分配，无法从根本上消除系统光效低和体积大的缺点。设计了一种基于渐变折射率(GRIN)透镜阵列的单片式数字光处理(DLP)激光投影光学引擎的照明光路，以单级透镜系统取代了传统的聚光、匀光等结构复杂的光学组件。通过光线追迹软件对照明光路的光学特性进行了仿真评估，光能利用率达69.5%，照明均匀性达90.9%，光学体积仅为3.06 cm3，达到了提高光效和减小体积的设计目的。
光学设计 渐变折射率透镜 仿真 光能利用率 照明均匀性 激光与光电子学进展
2011, 48(12): 122201
在较小体积的照明系统中实现较好的照明效果是近年来微投影仪的主要发展方向。本文在对 DLP (Digital Light Processing)微投影显示系统进行分析的基础上，提出了一种紧凑的基于 LED光源的单片式 DLP照明光路结构。当照明光斑尺寸满足 0.3英寸的 DMD(Digital Micromirror Devices)芯片时，中继系统的长度缩短至原来的 50%左右。并利用 ZEMAX软件分别对基于理想点光源和扩展面光源的照明系统进行了建模仿真。追迹 50万条光线的仿真结果表明，本设计在两种光源模型下都可得到均匀的照明光斑，系统的光能利用率在 33%左右。
微投影显示 照明均匀度 复眼透镜 中继系统 DLP DLP micro-projection display illumination uniformity fly-eye lens relay system
采用电子束蒸发方法在大面积玻璃基底和钽基底上沉积六硼化镧薄膜阴极。分别对玻璃基底上沉积的六硼化镧薄膜的生长取向、附着力与不同蒸发角度(0°, 30°,45°和60°)的关系进行了研究；对钽基底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究。结果表明:在基底温度为250 ℃时, 制备的六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点；蒸发角度为45°时, 六硼化镧薄膜(100)晶面的晶格常数与靶材相差最小, 晶粒较小；根据优化的工艺制备的六硼化镧薄膜阴极的逸出功为2.56 eV。
电子束蒸发 六硼化镧薄膜 蒸发角度 逸出功 大面积薄膜阴极 electron-beam deposition LaB6 film deposition angle work function large area film cathode
六硼化镧(LaB6)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料。而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB6薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力。为了测量LaB6 薄膜的逸出功,采用电子束蒸发技术沉积LaB6薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射分析和X射线光电谱分析。通过测量薄膜的热电子发射特性和敷LaB6薄膜的硅尖锥阵列的场致电子发射特性确定了LaB6薄膜的逸出功,与块状LaB6多晶材料的逸出功大体相同,说明电子束蒸发沉积技术适合于制备高纯度、低逸出功的LaB6薄膜。
六硼化镧 逸出功 电子束蒸发 热发射 场发射 Lanthanum hexaboride work function e-beam deposition thermal emission field emission
a-Si:H TFT在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成OLED的发光亮度下降,影响其使用寿命.而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移.本文分析了电流控制电流镜像像素电路的工作原理,结合a-Si:H TFT阈值漂移模型仿真了电路在长时间工作下阈值漂移对驱动电流稳定性的影响,并提出了相应的解决办法.研究结果表明合理的像素电路设计可以有效改善驱动电流的稳定性.
氢化非晶硅薄膜晶体管 有机电致发光二极管 电流镜像像素电路 电流稳定性 a-Si:H TFT OLED mirror-based pixel circuit current stability
分析了传统牺牲层材料铝在制备LaB6场发射阵列时存在的问题,利用溅射及热蒸发工艺依次制备铝膜和氧化锌膜,制备出了一种新型的牺牲层——ZnO-Al复合牺牲层,并对所制备的阵列进行了测试。实验结果表明：ZnO-Al复合牺牲层能够有效地解决电化学腐蚀的问题,所制备出的LaB6场发射阵列尖锥保持了完好的形貌,其发射特性也达到了最初制备场发射阵列的要求,说明ZnO-Al复合牺牲层是作为LaB6场发射阵列牺牲层的理想材料。
六硼化镧 场发射 牺牲层 溅射 LaB6 field emission array sacrificial layer sputtering ZnO-Al ZnO-Al complex sacrificial layer
采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术，利用2．6 μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1 μm的场发射阴极的栅极空腔阵列，实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列。硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶液，刻蚀后空腔的深度和宽度均随刻蚀时间线性增加。同时，由于刻蚀溶液具有较高的Si／SiO2刻蚀选择比，栅极孔径随刻蚀时间增大的速度远低于深度和宽度增大的速度，栅极孔径主要取决于掩模的尺寸和氧化层的厚度。通过选择掩模板的尺寸以及氧化层的厚度．采用局部氧化技术和湿法刻蚀技术能够制备出微米或亚微米的场发射阴极的栅极空腔阵列。
场发射阵列 栅极孔 局部氧化 湿法刻蚀 Field emission array Gate hole Local oxidation of silicon Wet etch
