A silver microelectrode with a diameter of 30 µm in an aqueous K₂SO₄ electrolyte was irradiated with 55 fs and 213 fs laser pulses. This caused the emission of electrons which transiently charged the electrochemical double layer. The two applied pulse durations were significantly shorter than the electron-phonon relaxation time. The laser pulse durations had negligible impact on the emitted charge, which is incompatible with multiphoton emission. On the other hand, the observed dependence of emitted charge on laser fluence and electrode potential supports the thermionic emission mechanism.

针对宇航微波器件功率密度越来越大，空间电子可能诱发微波器件发生微放电的潜在威胁，通过设计特殊波导结构，利用电子枪提供的种子电子入射到特殊波导内，在波导内通入大功率微波信号，利用检波器和示波器分别检测透射波形和反射波形，观察微放电现象的持续过程；改变电子入射能量，观测到不同程度的微放电现象，该电子枪提供种子电子诱发波导微放电效应的实验方法为微波器件微放电效应研究提供了重要手段。

探索提高金属表面真空击穿阈值的方法，对脉冲功率技术的发展和应用具有重要意义。在金属表面电子发射理论分析的基础上，采用有限元法计算阴极杆表面电场随二极管电压的变化规律，设计了实验系统，并开展了实验研究。实验对比了在脉宽约30 ns、阴极杆与阳极筒间隙12 mm时，钛合金TC4阴极杆在不同种类高分子膜（膜厚30～60 μm）下真空击穿阈值的变化情况。在表面粗糙度R_z（轮廓最大高度）为0.8 μm的TC4阴极杆表面分别镀环氧树脂膜和丙烯酸膜，实验结果表明，镀丙烯酸膜阴极杆的击穿阈值约505 kV/cm，相对于不镀膜阴极杆，击穿场强提高了约20.6%；在表面粗糙度R_z为0.2 μm的TC4阴极杆表面分别镀聚酰亚胺膜和聚醚醚酮膜，实验结果表明，镀聚酰亚胺膜阴极杆的击穿阈值为584 kV/cm，相对于不镀膜阴极杆，击穿场强提高了约28.1%。因此，在金属表面镀丙烯酸膜、聚酰亚胺膜可以有效提高金属表面的真空击穿阈值。

分析了微通道板输入信号损失的原因，提出了在微通道板输入端镀制绝缘层，从而提高微通道板输入信号利用率的方法，并进行了试验.试验结果表明：在微通道板输入端镀制一层15nm的绝缘层，可以提高微通道板输入信号的利用率，从而提高微通道板的增益.绝缘层的二次电子发射系数越高，微通道板输入信号的利用率越高，增益提高的比例越大.对SiO₂膜层而言，可以提高12%左右；对Al₂O₃膜层而言，可以提高35%左右.在微通道板增益提高的同时，像增强器的分辨力和调制传递函数会降低，并且绝缘层的二次电子发射系数越高，分辨力和调制传递函数降低的比例越大.但微通道板分辨力和调制传递函数降低的比例远低于增益提高的比例.本文提出的提高微通道板输入信号利用率的方法具有一定的实用性，可以推广使用.