1 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，江苏 南京 210016
2 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司，江苏 南京 210016
3 南京安太芯电子有限公司，江苏 南京 210016
报道了用于冰云探测的基于0.5 μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数，提升太赫兹频段电路性能，设计并分析了了T形阳极GaAs SBD器件结构，开发了厚度仅5 μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块，经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到 9.9 dB。
砷化镓肖特基二极管 薄膜电路 次谐波混频器 GaAs SBD membrane circuit sub harmonic mixer
1 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，江苏 南京210016
2 南京电子器件研究所 微波毫米波模块电路事业部，江苏 南京210016
基于南京电子器件研究所(NEDI)的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层(缓冲层、外延层)材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结构，采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法，一体化设计匹配电路和器件，研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6GHz测得最高倍频效率为2.7%，在147.4～155GHz效率典型值为1.3%.G波段二倍频器在172GHz测得最高倍频效率为 2.1%，在150～200GHz效率典型值为1.0%.
太赫兹 GaAs肖特基二极管 倍频器 Terahertz GaAs Schottky diode multipliers
