1 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 江苏 南京 210016
2 南京电子器件研究所 微波毫米波模块电路事业部, 江苏 南京 210016
基于分立式GaAs肖特基势垒二极管, 研制出了190~225GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术, 实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法, 二极管非线性结采用集总端口模拟, 提取二极管的嵌入阻抗, 以设计阻抗匹配电路.在202GHz, 测得最高倍频效率为9.6%, 当输入驱动功率为85.5mW时, 其输出功率为8.25mW;在190~225GHz, 测得倍频效率典型值为7.5%;该二倍频器工作频带宽、效率响应曲线平坦, 性能达到了国外文献报道的水平.
GaAs肖特基二极管 二倍频器 太赫兹 效率 GaAs Schottky diode frequency doubler terahertz efficiency
1 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，江苏 南京210016
2 南京电子器件研究所 微波毫米波模块电路事业部，江苏 南京210016
基于南京电子器件研究所(NEDI)的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层(缓冲层、外延层)材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结构，采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法，一体化设计匹配电路和器件，研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6GHz测得最高倍频效率为2.7%，在147.4～155GHz效率典型值为1.3%.G波段二倍频器在172GHz测得最高倍频效率为 2.1%，在150～200GHz效率典型值为1.0%.
太赫兹 GaAs肖特基二极管 倍频器 Terahertz GaAs Schottky diode multipliers
1 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 江苏 南京 210016
2 南京电子器件研究所 微波毫米波模块电路事业部, 江苏 南京 210016
利用GaAs肖特基平面二极管, 基于石英薄膜电路工艺, 采用场和路相结合的综合分析方法, 研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中, 二极管非线性结采用集总端口模拟, 以提取二极管的嵌入阻抗, 设计二倍频器的无源匹配电路, 优化倍频的整体电路性能, 提取相应的S参数文件, 分析倍频器的效率.150 GHz二倍频器在149.2 GHz测得最高倍频效率7.5%, 在147.4～152 GHz效率典型值为6.0%; 180 GHz二倍频器在170 GHz测得最高倍频效率14.8%, 在150～200 GHz效率典型值为8.0%.
二倍频器 肖特基平面二极管 谐波平衡分析 效率 frequency doubler planar Schottky diode harmonic balance analysis (HBA) efficiency
