1 上海大学材料科学与工程学院,上海 201800
2 上海大学环境与化学工程学院,上海 201800
纳米半导体与聚合物复合形成的新型电致发光材料,在大规模平面显示和移动通信等现代信息显示方面具有广阔的应用前景。在这种复合型电致发光材料体系中,聚合物不仅可用作LED器件的粘接剂,而且在用作无机发光层的分散介质时,对纳米晶粒的表面可以起钝化作用,防止发光猝灭,从而通过控制和调节纳米晶粒的含量和尺寸来调节发光强度和波长。当采用共轭聚合物与纳米半导体形成复合体系时,还可以通过共轭聚合物与纳米半导体间的电子转移来调节发光层的电子结构及其发光性能。利用纳米半导体的高电荷输运性,也可以增强电致发光聚合物发光层的效率。
电致发光 纳米半导体 聚合物 复合体系 激光与光电子学进展
2005, 42(10): 41
报道在聚乙烯醇(PVA)膜上采用离子络合法镶嵌的ZnS纳米微粒的形貌结构与光学特性。透射电子显微镜结果表明,在聚乙烯醇膜中的ZnS纳米微粒分布比较均匀,粒径可控制在2～7 nm的范围内;电子衍射分析表明,ZnS纳米微粒具有类似于??β ??ZnS体材料的晶体结构。室温下的光发射峰的位置在414～440 nm范围内。着重分析了ZnS纳米形貌结构与其发射波长和强度之间的关系,并探讨了其不同的发射机理。
低维物理 纳米材料 离子络合法 硫化锌 聚乙烯醇
1 上海大学材料科学与工程学院,上海,201800
2 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家开放实验室,上海,200083
采用等离子增强化学气相法(PECVD)在碲镉汞(MCT)衬底上沉积纳米颗粒的类金刚石薄膜(DLC),对DLC/MCT界面进行了俄歇电子能谱(AES)分析,并与离子溅射法(IS)沉积的ZnS/MCT界面比较,结果表明DLC和ZnS薄膜都能较好地抑制MCT中HgTe的分解,在一定程度上阻挡了MCT中Hg的外扩散.相对于ZnS中的S而言,DLC的C在MCT中的内扩散深度较小(前者为400,而后者仅为200).红外透射光谱结果表明DLC膜比ZnS膜具有更好的抗反射效果.
类金刚石 薄膜 红外 界面. Diamond like carbon film infrared interfaces.
提出了一种新颖的多孔硅表面钝化技术，即采用微波等离子体辅助的化学气相沉积（MPCVD）方法在多孔硅上沉积金刚石薄膜。采用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪和荧光分光光度计对多孔硅及金刚石膜的表面形貌、结构和发光特性进行了表征。结果表明采用微波等离子体化学气相沉积法可在多孔硅基片上形成均匀、致密、性能稳定且对可见光具有全透性的金刚石膜。金刚石膜与多孔硅的复合，大大稳定了多孔硅的发光波长和强度，同时增强了多孔硅的机械强度。
多孔硅 金刚石薄膜 表面钝化 光致发光
