1 深圳大学 光电子学研究所 光电子器件与系统教育部重点实验室，广东 深圳 518060
2 安徽建筑工业学院 电子与信息工程学院，合肥 230601
3 中国电子科技集团第十三研究所，石家庄 050051
基于频率响应理论模型，分析了同轴封装的雪崩光电探测器的高频特性.包含芯片、键合金丝、跨阻放大器和同轴管座等各部分的高频特性及对器件高频特性的影响.通过调节封装过程中不同键合金丝引入的电感参量，可以得到不同现象的频率响应.最后考虑实际工程条件，优化得到了10 GHz的－3 dB带宽的同轴封装雪崩光电探测器件.
雪崩光电探测器 同轴封装 频率响应 跨阻放大器 Avalanche photodetector TO can packaging Frequency response Transimpedance amplifer
深圳大学 教育部广东省光电子器件与系统重点实验室，广东 深圳 518060
基于器件模拟仿真，设计了一种PNP型1.5 μm 波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构，并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小，比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性，因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得，基区搀杂浓度可以相对较低，有利于减小基区光损耗和载流子复合，从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1 nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.
异质结 晶体管激光器 外延结构 掺杂扩散 量子阱退化 Transistor laser Epitaxy structure Dopant diffusion Quantum well degradation
深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳,518060
半导体光放大器的耦合光纤形成的外腔反馈通过引入弯曲损耗得以抑制.通过对半导体光放大器有源波导引入对前、后向光场非对称散射损耗,以前向光场部分损耗为代价,反馈光场能量被分布式地较强辐射.时域有限差分法仿真研究表明,通过优化弯曲有源波导的结构,相对于通常的有源直波导,在相同的材料增益和输入、输出条件下,反馈可以下降10 dB以上.由此可以简化高增益半导体光放大器的器件结构.
半导体光放大器 有源弯曲波导 反馈抑制
1 深圳大学光电子学研究所，光电子器件与系统教育部重点实验室，深圳 518060
2 华中科技大学，光电子科学与工程学院，武汉 430074
根据多量子阱中注入载流子的输运机制，计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布．引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度，分析了各种敏感因素对载流子非均匀分布的影响．指出注入载流子分布的非均匀性，随量子阱数、注入电流、量子垒高度的增加而显著增加，随工作温度的升高而减小．
半导体器件与技术 多量子阱 注入载流子 非均匀分布 Optoelectronics and Laser technology MQW Injected carrier Non-uniform distribution
1 深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳 518060
2 清华大学电子工程系,北京 100084
3 恒宝通光电子有限公司,深圳 518040
本文介绍了E-PON系统以及对OLT和ONU收发一体模块的设计要求。讨论了OLT、ONU BiDi突发模式光收发一体模块的基本原理和设计方法,并给出了实验结果。
突发模式 光收发一体模块 激光与光电子学进展
2005, 42(11): 54
1 深圳大学,光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳,518060
2 华中科技大学,光电子工程系,武汉,430074
提出了一种适合于批量制备SOA减反膜的实时监控技术.监控系统简单,操作方便,可以应用于国产镀膜机.由此技术批量制备SOA,腔面剩余反射均接近10-4.
半导体光放大器 增透膜 剩余反射 适时监控
深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,深圳,518060
采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期外延材料的芯片制作的LD,实现了TE和TM双偏振模激射.
偏振无关 TM模增益 混合应变量子阱 SOA
1 华中理工大学光电子工程系, 武汉 430074
2 武汉电信器件公司, 武汉 430074
研究了直接耦合混合应变量子阱半导体光放大器(SOA)的噪声特性。实验中测定SOA在130 mA偏置电流下的噪声指数为7.7 dB,表明应变量子阱结构改善了SOA的噪声性能。理论分析指出,通过消除SOA的剩余反射,其噪声性能可以得到进一步改善。
应变量子阱 半导体光放大器 噪声指数
1 华中理工大学光电子工程系 武汉 430074
2 武汉电信器件公司 武汉 430074
报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器(SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益，使之接近TE模的增益，从而使SOA的偏振灵敏度大为降低。在150 mA的偏置下，获得了24 dB的小信号增益和1 dB的偏振灵敏度。
半导体光放大器 偏振灵敏度 应变量子阱 小信号增益
