利用同步辐射光电子能谱技术研究了低Sr组分时Pb1-xSrxTe薄膜能带的移动规律,并计算了Pb1-xSrxTe/PbTe异质结中导带帯阶所占比率.当不考虑应力时,该异质结界面导带带阶比率Qc=ΔEC/ΔEg=0.71.当考虑应力时,PbTe能带发生L能谷与O能谷的劈裂,其导带带阶比率分别为QLC=0.47和QOC=0.72.Pb1-xSrxTe/PbTe异质结界面具有类型Ⅰ的能带排列结构,这说明Pb1-xSrxTe/PbTe型量子阱或量子点对电子与空穴都有较强的限制能力.该异质结能带帯阶的精确测量有利于该类三元系半导体异质结在中红外光电器件的研发和应用中发挥重要作用.

通过高分辨率电子束光刻方法制备了不同形状的三层复合材料纳米颗粒，研究了这种纳米颗粒的形状变化对消光特性的影响。测试结果表明，当入射波偏振方向平行于短轴时，随着长宽比的增大，共振峰位置发生“蓝移”；当光源偏振方向平行于长轴时，随着长宽比的增大，共振峰位置发生“红移”。还用时域有限差分算法以及表面等离波子的Lorentz模型对纳米颗粒的消光特性进行数值计算，所得的消光频谱曲线、共振峰位置变化趋势与实验基本一致。此外，还研究了主体材料层厚度对消光特性的影响，发现其厚度在20~90 nm变化时，共振峰发生3~115 nm的“蓝移”。

针对实时THz脉冲(T-ray)成像系统所成图像分辨率低、受1/f相关噪声干扰严重的特点,提出一种新的基于小波去噪的T-fay图像复原算法.对T-ray图像进行离散小坡变换后,先利用广义交叉确认估计出各个分辨率层的噪声阈值,然后对每个分辨率层的高频子带进行迭代去噪,最后对去噪后的T-ray图像采用Jasson-Van-Cittert算法进行复原处理以提高分辨率.实验结果表明,该方法在提高T-ray图像分辨率的同时,能显著地抑制THz成像系统的1/f相关噪声.创新之处在于以广义交叉确认作为T-ray图像中1/f噪声的估计方法,大幅度提高了图像信噪比(～5 dB),避免了噪声带来的复原算法中的不适定问题,达到较好的图像复原效果.

构造了变迹和啁啾的光子晶体结构,用时域有限差分(FDTD)法分析了它们的响应特性。分别对不同啁啾系数的光子晶体结构和不同变迹形式的光子晶体结构进行了比较分析。研究表明,啁啾结构的光子晶体与普通结构的光子晶体相比,禁带的带宽增加了,禁带的中心频率向低频处偏移,当啁啾系数在0～0.01之间以0.002变化率增加时,随着啁啾系数增大,禁带的宽度变大,禁带的中心频率减小;同样构造的线性变迹的光子晶体和正弦变迹的光子晶体对于光子禁带的中心频率和宽度有类似的影响。

利用CCD图像传感器和图像采集处理技术,实现了电子束着屏误差二维自动测量.在荧光屏的前端附加垂直和水平两组微偏转线圈,通过控制微偏转线圈的电流,改变着屏点附近的磁场,使电子束着屏点的位置在一个粉点范围内精确连续可调.标准光栅的测试验证,系统绝对误差小于5μm,表明该系统稳定可靠,一致性好.

电子束轮廓的描述是彩色显像管特性检测中的难点之一.采用光电转换与计算机信息处理技术,通过自动调整边界条件和三次样条拟合的方法建立了电子束轮廓自动测量系统.与传统测量方法相比,该系统精度高,测试速度快,极大地减轻了测试人员的工作强度,并增加了对排列率和并列率等的测试功能.