以2-苯基吡啶为主配体、以氟修饰的吡啶-2-甲酸为辅助配体合成出一系列环金属中性铱配合物。产物结构通过核磁及质谱进行了确认, 对其光物理性能研究表明, 这些配合物的发光波长在498～516 nm之间, 属于绿光发射。没有氟取代的配合物Ir1量子效率最高, 达到32%, 而由于2位氟取代的位阻影响Ir4的量子效率最低只有6%, 其他氟取代配合物的量子效率在13%～16%之间。引入氟原子后配合物的氧化电位都有所增加, 氧化电位由511 mV增加到547～574 mV 之间。热稳定性也在氟取代后增加, 由142 ℃提高到187～380 ℃之间, Ir4提高的最少, 为187 ℃。应用于电致化学发光时, 除Ir4外, 氟取代都能增加其电致化学发光强度, 由332增加到333～370之间。而配合物Ir4的发光强度只有203。以上结果表明氟取代的效果跟位置有很大关系, 2位氟取代由于位阻效应, 使配合物的量子效率及稳定性都有不利影响, 而其他位置的取代则能提高配合物的这些性能。该研究结果对设计开发综合性能优异的发光材料具有借鉴意义。

研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现, 经1000℃/4h磷吸杂后, 硅片平均少子寿命从1.21μs 提高到11.98μs; 经950℃/1h硼吸杂后, 平均少子寿命从1.52μs提升到10.74μs。两种吸杂处理后, 硅片电阻率从0.2Ω·cm提高到0.5Ω·cm。结果表明, 两种吸杂工艺使得硅片表面形成的重磷、重硼扩散层对金属杂质有较好的吸杂作用, 从而减少载流子的复合中心, 改善多晶硅片的性能。

提出一种在Matlab/GUI环境下设计的晶体硅太阳电池数值模拟软件，通过光生少数载流子连续性方程建立了单晶硅N+/P/P+结构太阳电池的物理模型。通过引进有效迁移率和有效少子扩散长度概念，并考虑多晶硅中晶界复合后，实现了对单晶硅、柱状多晶硅太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子、转化效率、串并联电阻等电池性能的参数指标的数值模拟。程序模拟结果通过数值和图形两种方式输出，模拟结果与实验结果接近，能够为晶体硅太阳电池的设计与制备起到较好的指导作用。本程序对于以N型材料为衬底的晶体硅太阳电池同样适用。

采用化学腐蚀液织构了经磷吸杂处理后的多晶硅片。利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅表面形态，并通过反射谱测试分析了多晶硅片表面的陷光效果。实验结果表明：经酸腐蚀后的样品表面分布着均一的“蚯蚓状”的腐蚀坑，且反射率较低。在400~1000nm波长范围内，反射率可达22.75%；生长了SiNx薄膜后，反射率减小至8.33%，比原始硅片的反射率低20.96%。

对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面工艺结合起来,达到较好的效果，节省了太阳电池制备的时间和成本。

论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光(Electroluminescence, EL )成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850～1 200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度, 而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度。用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像, 然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷。由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感, 所以可利用电池缺陷处EL强度随温度变化的差异来辨别缺陷的类型。