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同名作者【潘莉】论文列表

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硅基光子晶体板的光刻和反应离子刻蚀

张磊 ^1,2张晓玉 ¹张福甲 ²姚汉民 ¹[ ... ]潘莉 ¹

作者单位

摘要

¹ 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209

² 兰州大学物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000

用光刻和反应离子刻蚀的方法对硅材料光子晶体板的制作进行了研究.实验发现,与激光直写曝光相比,光刻曝光更有利于胶上图形的陡直度.扫描电子显微镜测试表明,反应离子刻蚀后得到深3.3μm,晶格周期10.95μm,占空比50%的孔状光子晶体板结构,孔的陡直度保持较好,基本满足设计要求.

光子晶体光刻离子蚀刻激光直写扫描电子显微镜

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光电工程

2004, 31(2): 1

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