阐述了新一代硅微通道板的主要性能。采用定向离子深度刻蚀技术在2时和4时硅片上刻蚀了四组不同直径的硅微通道板微孔阵列，分别采用PECVD技术和液体化学沉积两种方法制作了硅微通道板的连续打拿极，从而探索了研制新一代硅微通道板的途径。利用紫外光电法测试了硅微通道板的增益和增益均匀性。实验结果表明，如果进一步改进制备工艺，硅微通道板可以实现较传统微通道板更高的增益和更好的增益均匀性。
硅 微通道板 定向离子刻蚀 电子倍增 Silicon microchannel plate directional plasma etch electron multiplying
1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子部,西安,710068
2 西北大学分析测试研究中心,西安,710069
在X射线诊断成像方面,非晶硒(a-Se)是最有前途的探测材料之一.通过实验研究了a-Se合金膜的制备方法,用飞行时间方法测量了载流子的漂移迁移率和寿命,讨论了对a-Se合金膜性能有重要影响的因素.通过对400 μm厚a-Se合金膜X 射线光电流的测量,确定了a-Se合金膜对X射线的光电响应特性.实验表明,a-Se合金膜具有线性的光电转换特性;灵敏度与场强有关.在10 V/μm场强下,对于医疗诊断常用的轫致辐射X射线谱,用X射线在a-Se合金膜中产生一电子-空穴对约需45 eV的能量.
非晶硒合金 X射线成像 飞行时间 X射线光电流 灵敏度
