在电子纸行业中, 为了减少光刻次数、降低成本, 部分产品的TFT基板会采用半色调掩膜工艺, 传统的一次湿刻一次干刻(1W1D)方法要求半色调掩膜光刻胶厚度与均一性同时满足较高要求, 管控难度大, 导致曝光多次返工浪费产能; 而且, 1W1D的刻蚀均一性很差, 使玻璃四周沟道a-Si过薄, 影响良率。为了改善这两方面的问题, 我们参考了非电子纸产品的两次湿刻两次干刻(2W2D)工艺。然而非电子纸的2W2D工艺会产生较长的a-Si拖尾现象, 导致较大的寄生电容, 造成良率损失; 此外, a-Si残留和沟道特性问题也阻碍了电子纸良率的进一步提升。因此, 我们通过降低两次湿刻时间, 改善灰化条件, 减小a-Si拖尾长度; 建立a-Si处理工序, 消除a-Si残留; 调整a-Si成膜条件和钝化层成膜前处理条件, 改善沟道特性。实验结果表明: 采用改善后的2W2D工艺可以完全满足电子纸的特性要求, 并且相比于1W1D方法, 得到的沟道厚度均一性提升50%, 阵列检测良率提升4%~10%; 同时无需管控半色调掩膜光刻胶的均一性, 仅满足光刻胶厚度的管控要求即可, 使曝光返工比例降低60%。改善后的2W2D工艺有效改善了电子纸产品的沟道特性与刻蚀均一性, 提升了产品良率, 减少了产能浪费, 降低了成本, 对4次光刻电子纸产品具有重要指导意义。

本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比, 存在沟道界面粗糙, Ioff偏大问题, 通过优化膜层结构, 改善界面状态, 得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度, 可以有效减少Al的渗透, 防止Al-Si化合物的形成, 得到界面平整的沟道; N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大, 增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低; PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大, 都可以减少沟道缺陷, 而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用, 减少了沟道表面Al-Si化合物, 但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加; 采用bottom Mo加厚, N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件, 可以得到沟道界面良好, TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。

基于晶体体全息角度分维复用存储机理,采用半导体抽运固体激光器取代氩离子激光器作为系统光源,设计并构建了一台小型体全息存储及相关系统。实现了基于1000幅人脸库图像的相关识别,并通过子波变换滤波预处理提取图像边缘特征,得到了较为准确的识别结果。