本文对高膜厚PS材料进行了研究, 通过工艺优化, 成功在G5线实现了60~120 μm的高PS。通过前烘工艺和固化工艺优化调整, 得到了无气泡、膜面良好的高PS材料。本文还对曝光量对PS影响进行了研究, 发现曝光量低于50 mJ时, PS材料无法有效成型; 当曝光量达到150 mJ时, 得到形貌良好, 达到设计值的PS。最后还对不同基底高PS材料进行了研究, 发现未进行增粘处理时, SiN基底粘附性良好, Mo基底还需继续优化处理。

利用地基大的光学望远镜获得衍射极限成像是许多天文观测的重要目的,受大气扰动限制的分辨率可以通过在望远镜瞳面添加非冗余孔径掩模、采用闭合相位技术来突破。介绍了非冗余孔径掩模技术的发展、原理以及应用;建立了将此技术应用于双星探测的数学模型,并进行了计算机模拟及实验研究。研究结果表明,通过对非冗余孔径掩模获得的干涉图的处理,获得闭合相位,以此对双星模型进行拟合,能够获得双星的对比度与角间距。

基于锥镜的相位调制作用和胶片的振幅调制功能,提出了一种能精确高效产生无衍射马蒂厄光束的方案。利用稳相技术,证明了该方案产生马蒂厄光束的理论机制。利用胶片输出仪制作了具有角向马蒂厄函数分布的振幅调制胶片,在实验上精准地产生了一簇马蒂厄光束。理论和实验结果表明,基于锥镜和振幅调制产生马蒂厄光束的方法简单、高效、灵活。

本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比, 存在沟道界面粗糙, Ioff偏大问题, 通过优化膜层结构, 改善界面状态, 得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度, 可以有效减少Al的渗透, 防止Al-Si化合物的形成, 得到界面平整的沟道; N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大, 增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低; PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大, 都可以减少沟道缺陷, 而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用, 减少了沟道表面Al-Si化合物, 但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加; 采用bottom Mo加厚, N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件, 可以得到沟道界面良好, TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。