为了实现对Li—N共掺杂p型ZnO薄膜的形成机制以及其稳定p型导电原因的揭示, 利用X射线光电子谱及基于同步辐射光源的X射线吸收精细结构谱测试对薄膜的局域电子结构进行了测算分析。获得了Li—N成键及Li—N复合型受主形成的信号, 利用光致发光测量计算其受主能级为122 mV。证实了薄膜中Li—N复合型受主的形成, 而Li—N共掺杂p型ZnO良好的稳定性则归因于Li—N共掺杂在p型ZnO薄膜中实现了Li和N的成键。

通过溶剂热、溶胶-凝胶和共嫁接技术开发制备了一种基于芘功能化的核壳型磁性二氧化硅纳米微球的可回收汞离子光学传感器。相对于其他竞争金属离子, 获得的多功能纳米微球对Hg2+具有良好的荧光传感性能和选择性。多功能微球的荧光强度与Hg2+浓度之间显示出良好的Stern-Volmer线性关系(R2＝0.998 3), 其检测限为2.3×10-8 mol·L-1。该材料对汞离子的荧光响应具有可逆性, 利用EDTA溶液处理可实现多次重复使用。此外, 芘功能化的磁性二氧化硅纳米微球可以有效地除去水溶液中的Hg2+, 并且通过施加外部磁场可实现简单快速的分离。上述结果表明, 这种功能化核壳型磁性二氧化硅微球在同时检测和去除环境污染物方面具有良好的发展前景与应用潜力。

利用粉体NbCl5作为Nb掺杂源, 采用常压CVD方法合成了大尺寸Nb 掺杂的少层MoS2薄膜。通过扫描电子显微镜和原子力显微镜观察获得了该薄膜样品的形貌和厚度信息。拉曼光谱和X射线光电子谱测试证实了Nb被掺入到了MoS2薄膜中, Nb掺杂的MoS2合金薄膜已经形成。最后, 对Nb 掺杂的少层MoS2薄膜的电学性质进行了测试。

提出了一种有机聚合物敏感结合光波相位检测的光纤气体传感方法并进行了实验验证.利用不同浓度酸性气体作用下, 有机聚合物其折射率将发生改变的特性, 在光纤法布里-珀罗(Fabry-Perot, F-P)腔中填充有机聚合物薄膜, 通过分析光纤F-P腔输出的光谱特性, 实现对酸性气体浓度高精度测量.实验结果表明, 有机聚合物的折射率随被测气体浓度的增加而减小, 传感器的系统灵敏度为(0.726~1.006)×10－2 cm/%VOL, 相位灵敏度为1.276×10－2 rad/%VOL, 浓度分辨率为0.783 ppm, 可应用于石油化工领域二氧化碳、硫化氢等酸性气体的高精度测量.

CNOT门是量子计算中重要的量子元件,尤其是在量子线路中的容错扩展矩形构造中应用广泛。 然而,由于CNOT门扩展矩形容错构造中的容错辅助态的制备线路一般较为复杂,给CNOT门扩展矩形容错 构造的设计与实现带来了不便。基于重叠法,提出一种新的(49,1,9)量子纠错码CNOT门扩展矩形容错 构造,并简化了CNOT门扩展矩形容错构造的量子线路。研究结果表明:基于重叠法的CNOT门扩展矩形容 错构造中所需要的CNOT门开销比传统的拉丁矩形法制备少224个。

基于隐形传态提出一种稳定子码量子容错编码门的构造方法。 隐形传态构造法是通过对隐形传递 得到的编码态执行假想的编码门,然后将该假想门往前移,使得编码门构造的困难减小到仅容错制备一个 特殊辅助态即可。以编码Hadamard门,编码相位门为例详述了该方法的实现过程,并通过数值分析验证了 隐形传态构造法的正确性。最后,计算各编码门的构造开销,并与文献［16］中的编码门构造方法相比较, 结果表明隐形传态法下,编码H门的物理量子门减少了60n个,辅助块|0>和|Cat>各减少了5个; 编码P门的物理量子门减少了16n个,辅助块|0>减少了1个, |Cat>减少了2个。