中国电子科技集团公司 第五十五研究所, 南京 210016
光电倍增管, 在单光子探测应用中, 有独特优势, 其有效面积大, 暗电流低, 且倍增系数大。基于三代负电子亲和势阴极技术研究了InGaAs光电倍增管, 利用GaAs衬底外延InGaAs, 将三代光电阴极截止波长从920 nm拓展至1100 nm, 阴极积分灵敏度340 uA/lm, 光谱峰值830 nm, 1000 nm辐射灵敏度6.2 mA/W, InGaAs性能达到日本滨松公司V8071U-76产品水平。在内置2块微通道板后, 整管电子倍增系数大于105。
负电子亲和势光电阴极 光电倍增管 negative electron affinity photocathode GaAs GaAs InGaAs InGaAs photomultiplier tube
中国电子科技集团公司 第五十五研究所, 南京 210016
随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。
负电子亲和势光电阴极 转移电子光阴极 negative electron affinity photocathode transferred electron photocathode GaAs GaAs InGaAs InGaAs InGaAsP InGaAsP
