中国电子科技集团公司 第五十五研究所, 南京 210016
光电倍增管, 在单光子探测应用中, 有独特优势, 其有效面积大, 暗电流低, 且倍增系数大。基于三代负电子亲和势阴极技术研究了InGaAs光电倍增管, 利用GaAs衬底外延InGaAs, 将三代光电阴极截止波长从920 nm拓展至1100 nm, 阴极积分灵敏度340 uA/lm, 光谱峰值830 nm, 1000 nm辐射灵敏度6.2 mA/W, InGaAs性能达到日本滨松公司V8071U-76产品水平。在内置2块微通道板后, 整管电子倍增系数大于105。
负电子亲和势光电阴极 光电倍增管 negative electron affinity photocathode GaAs GaAs InGaAs InGaAs photomultiplier tube
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随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。
负电子亲和势光电阴极 转移电子光阴极 negative electron affinity photocathode transferred electron photocathode GaAs GaAs InGaAs InGaAs InGaAsP InGaAsP
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透射式GaN阴极组件是GaN紫外日盲型探测器的最关键部件之一。介绍了制备透射式GaN阴极组件的工艺难点,主要报道了透紫玻璃与蓝宝石的热压粘结工艺的原理和研制过程,并着重分析了热压粘结工艺中出现的问题，同时提出了拟定的解决方案。
透射式GaN阴极组件 透紫玻璃 蓝宝石 热压粘结 transmission GaN photocathode UV glass sapphire heat-bonding
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介绍了透射式GaAs光电阴极部件的制作技术和Cs、O激活机理;对Cs、O激活的GaAs光电阴极测试结果进行了分析,并指出了存在的问题和原因;讨论了提高GaAs光电阴极灵敏度的重要途径;提出了GaAs光电阴极灵敏度提高的技术方法以及进一步研究的方向。
透射式GaAs阴极 铯氧激活 光电灵敏度 热清洗 光谱响应曲线 transmission GaAs photocathode Cs-O activation photo-electric sensitivity heat cleaning spectral response curve
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负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景.本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺.指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活.
超高真空 激活 负电子亲和势 GaN光电阴极 紫外敏感 光电探测
主要介绍作为MAMA器件的关键组成部分高密度矩阵阳极的编码原理和方式、着重阐述256×256型矩阵阳极组件的设计、工艺和特性.
MAMA器件 矩阵 阳极 编码 像素 MAMA device matrix encode pixel anode.
