针对目前的目标跟踪算法在目标发生运动模糊或被遮挡等情况下跟踪效果较差, 容易出现跟踪失败等情况, 本文提出了一种多特征自适应融合的抗遮挡相关滤波跟踪算法。算法首先提取梯度方向直方图特征 HOG和颜色直方图特征, 以最大化跟踪质量为目标自适应融合两种特征的相关滤波响应; 在跟踪的过程中根据响应图的质量存储高质量滤波模板, 采用高质量模板和正常更新模板检测响应图的质量差值来检测目标的遮挡情况, 当目标遮挡消失的时候, 跟踪器的模板回溯到高质量模板来重新跟踪目标。根据在 OTB100、UAV123的实验结果, 本文算法相对于其他同类型的相关滤波在跟踪精度和成功率方面表现更好, 在发生目标遮挡时仍能很好地跟踪。

本文提出了一种有效改善GaAs/Si（001）材料表面形貌和晶体质量的应变平衡超晶格结构及其制备方案。在无偏角Si（001）衬底上，采用金属有机化学气相沉积技术生长了具有应变平衡超晶格结构的GaAs外延层，并在相同条件下仅生长了GaAs外延层作为比较。采用原子力显微镜、光致荧光光谱仪和双晶X射线衍射仪对两种样品进行表征与测试。测试结果表明：与未采用该方案生长的样品相比，采用应变平衡超晶格结构方案生长的样品的均方根表面粗糙度由1.92 nm（10 μm×10 μm）降至1.16 nm（10 μm×10 μm），光致荧光光谱峰值强度提高5倍以上，光致荧光光谱峰值半峰全宽从31.6 nm降为23.4 nm，XRD曲线峰值半峰全宽降低了30.4%，X射线衍射峰值强度提升了472.2%。该方案可显著改善GaAs/Si（001）材料的表面形貌及晶体质量，对制备硅基电子和光电子器件具有重要意义。

从第一性原理出发，计算了不同温度下GaAs材料中沿{110}、{111}和{112}面传播的反相畴(APD)形成能，探索了反相畴的湮灭机理。结果表明，当温度达到660 K以上时，APD最稳定的传播晶面从{110}转变到{112}。通过分子束外延(MBE)技术，在无偏角Si(001)衬底上生长了1.4 μm厚的GaAs外延层。测试结果表明，随着生长温度的升高，APD密度降低，不同传播面的湮灭现象增加。反相畴在较高的生长温度下更易于扭折到{112}面，从而与其他反相畴相遇并发生湮灭。该结果对全MBE生长高性能无偏角硅基激光器研究具有重要意义。

提出一种间接测量平面接触刚度的方法，准确量化粗糙表面的接触刚度，使得整个支架系统的固有频率模拟与测试结果得到良好的匹配。基于接触刚度模型、ANSYS有限元模拟方法以及模态测试方法，以地脚螺栓固定方式的测试件为例，验证了间接测量方法的准确性，使接触刚度得到准确量化。该方法可以为提高加速器磁铁支架系统的整体刚度提供依据。

环-靶站输运线(RTBT)末端的准直器是中国散裂中子源(CSNS)工程中的关键部件之一, 因其靠近靶站, 辐射剂量大, 维护困难, 故设计可靠性极为重要。根据准直器的工作原理, 及CSNS物理设计要求, 对比国外同类加速器的设计经验, 设计完成准直器设备。在设计过程中兼顾了热沉积、功率损耗和材料性能等方面的严格要求, 并逐一阐述了具体方案。利用Bethe-Bloch公式计算与SRIM软件模拟的结果比较, 确定了模拟工具和模拟方法的可靠性, 根据ANSYS有限元软件模拟的结果, 验证了准直器结构设计的可靠性。